C23 金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆（繊維製品の金属化Ｄ０６Ｍ１１／８３；局部的金属化による繊維製品の装飾Ｄ０６Ｑ１／０４）；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般（特定の応用については，それぞれの箇所を参照，例．抵抗体の製造のためのものＨ０１Ｃ１７／０６）；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般（電気分解もしくは電気泳動による金属表面の処理または金属への被覆Ｃ２５Ｄ，Ｃ２５Ｆ）［２］ WebFI FI記号=2010年8月版
＜注＞このクラスにおいては，下記の表現は以下に示す意味で用いる：
―“金属質材料”は以下のものを包含する：
（ａ）金属［４］
（ｂ）合金（サブクラスＣ２２Ｃのタイトルに続く注に注意すること）
C23C 金属質への被覆；金属材料による材料への被覆；表面への拡散，化学的変換または置換による，金属材料の表面処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般（液体または他の流動性材料の表面への適用一般Ｂ０５；金属被覆製品の押し出しによる製造Ｂ２１Ｃ２３／２２；既存の層を物品に結合することによる金属被覆は，当該の箇所を参照，例．Ｂ２１Ｄ３９／００，Ｂ２３Ｋ；電極を用いる工作物への電流の高密度集束による金属加工Ｂ２３Ｈ；ガラスのメタライジングＣ０３Ｃ；モルタル，コンクリート，人造石，セラミックスまたは天然石のメタライジングＣ０４Ｂ４１／００；ペイント，ワニス，ラッカーＣ０９Ｄ；金属へのほうろう被覆，または金属へのガラス質層の形成Ｃ２３Ｄ；金属材料の防食または鉱皮の抑制一般Ｃ２３Ｆ；単結晶膜の成長Ｃ３０Ｂ；半導体装置の製造Ｈ０１Ｌ；プリント回路の製造Ｈ０５Ｋ）［４］
＜注＞このサブクラスにおいては，ある操作が当該被覆工程に特に適用されるが，その被覆工程とは明らかに区別され，そして独立した操作を構成する場合は，前処理または後処理とみなされる。もし，ある操作によって永久的な副層または上層が形成されるならば，それは前処理または後処理とはみなされず多層被覆方法として分類される。［４］
＜索引＞溶融被覆材料を利用する被覆 ２／００〜６／００
固相拡散被覆 ８／００〜１２／００
真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆 １４／００
化学的被覆 １６／００〜２０／００
接触メッキ １８／００
化学的表面処理 ２２／００
無機質粉末を利用する被覆 ２４／００
その他の被覆，多層被覆 ２６／００，２８／００
金属質被覆材料の組成 ３０／００
溶融状態にある被覆材料の適用による被覆［４］
C23C 2/00 形状に影響を及ぼすことのない溶融状態にある被覆材料の適用による溶融メッキまたは溶融浸漬法；そのための装置［４］
C23C 2/02 ・被覆される材料の前処理，例．選択された表面部分を被覆するためのもの（２／３０が優先）［４］
C23C 2/04 ・被覆材料に特徴があるもの［４］
C23C 2/06 ・・亜鉛もしくはカドミウムまたはそれらを基とする合金［４］
C23C 2/08 ・・すずまたはすず基合金［４］
C23C 2/10 ・・鉛または鉛基合金［４］
C23C 2/12 ・・アルミニウムまたはアルミニウム基合金［４］
C23C 2/14 ・溶融被覆層の過剰量除去；被膜厚さの制御または調整（厚さの制御または調整一般Ｇ０５Ｄ５／０２）［４］
C23C 2/16 ・・加圧流体を用いるもの，例．エアナイフ［４］
C23C 2/18 ・・・長尺材料からの溶融被覆層の過剰量除去［４］
C23C 2/20 ・・・・ストリップ；板［４］
C23C 2/22 ・・ラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）によるもの，例．ナイフを用いるもの［４］
C23C 2/24 ・・磁場または電場を用いるもの［４］
C23C 2/26 ・後処理（２／１４が優先）［４］
C23C 2/28 ・・熱による後処理，例．油浴処理［４］
C23C 2/30 ・溶融浴上のフラックスまたは被覆材（２／２２が優先）［４］
C23C 2/32 ・振動エネルギーを浴または基板に作用させるもの（２／１４が優先）［４］
C23C 2/34 ・処理される材料の形状に特徴があるもの（２／１４が優先）［４］
C23C 2/36 ・・長尺材料［４］
C23C 2/38 ・・・線材；管［４］
C23C 2/40 ・・・板；ストリップ［４］
C23C 4/00 溶解被覆材料のスプレーによる被覆，例．火炎，プラズマまたは放電によるもの（肉盛溶接Ｂ２３Ｋ，例．Ｂ２３Ｋ５／１８，Ｂ２３Ｋ９／０４；スプレーガンＢ０５Ｂ；金属の溶射による，繊維またはフィラメントを含む合金の製造Ｃ２２Ｃ４７／１６；プラズマガンＨ０５Ｈ）［４］
C23C 4/02 ・被覆される材料の前処理，例．選択された表面部分に被覆するためのもの［４］
C23C 4/04 ・被覆材料に特徴のあるもの［４］
C23C 4/06 ・・金属質材料［４］
C23C 4/08 ・・・金属元素のみを含むもの［４］
C23C 4/10 ・・酸化物，ほう化物，炭化物，窒化物，けい化物またはそれらの混合物［４］
C23C 4/12 ・スプレー方法に特徴のあるもの［４］
C23C 4/14 ・・長尺材料を被覆するためのもの［４］
C23C 4/16 ・・・線材；管［４］
C23C 4/18 ・後処理［４］
C23C 6/00 基板上に溶融材料を鋳込むことによる被覆［４］
金属質材料の表面への固相拡散［４］
C23C 8/00 金属質材料表面への非金属元素のみの固相拡散（けい素の拡散１０／００）；表面と反応性ガスとの反応による金属質材料の化学的表面処理，であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残すもの，例．化成被覆（ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｃｏａｔｉｎｇｓ），金属の不働態化（１４／００が優先）［４］
C23C 8/02 ・被覆される材料の前処理（８／０４が優先）［４］
C23C 8/04 ・選択された表面部分，例．マスクを用いるもの［４］
C23C 8/06 ・ガスを用いるもの（８／３６が優先）［４］
C23C 8/08 ・・１元素のみが用いられるもの［４］
C23C 8/10 ・・・酸化［４］
C23C 8/12 ・・・・元素状酸素またはオゾンを用いるもの［４］
C23C 8/14 ・・・・・鉄系表面の酸化［４］
C23C 8/16 ・・・・酸素含有化合物を用いるもの，例．Ｈ↓２Ｏ，ＣＯ↓２［４］
C23C 8/18 ・・・・・鉄系表面の酸化［４］
C23C 8/20 ・・・浸炭［４］
C23C 8/22 ・・・・鉄系表面の浸炭［４］
C23C 8/24 ・・・窒化［４］
C23C 8/26 ・・・・鉄系表面の窒化［４］
C23C 8/28 ・・２以上の元素が１段階で用いられるもの［４］
C23C 8/30 ・・・浸炭窒化［４］
C23C 8/32 ・・・・鉄系表面の浸炭窒化［４］
C23C 8/34 ・・２以上の元素が２段階以上で用いられるもの［４］
C23C 8/36 ・・イオン化されたガスを用いるもの，例．イオン窒化（放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管Ｈ０１Ｊ３７／００）［４］
C23C 8/38 ・・・鉄系表面の処理［４］
C23C 8/40 ・液体を用いるもの，例．塩浴，液状懸濁物［４］
C23C 8/42 ・・１元素のみが用いられるもの［４］
C23C 8/44 ・・・浸炭［４］
C23C 8/46 ・・・・鉄系表面の浸炭［４］
C23C 8/48 ・・・窒化［４］
C23C 8/50 ・・・・鉄系表面の窒化［４］
C23C 8/52 ・・２以上の元素が１段階で用いられるもの［４］
C23C 8/54 ・・・浸炭窒化［４］
C23C 8/56 ・・・・鉄系表面の浸炭窒化［４］
C23C 8/58 ・・２以上の元素が２段階以上で用いられるもの［４］
C23C 8/60 ・固体を用いるもの，例．粉末，ペースト（固体の液中懸濁液を用いるもの８／４０）［４］
C23C 8/62 ・・１元素のみが用いられるもの［４］
C23C 8/64 ・・・浸炭［４］
C23C 8/66 ・・・・鉄系表面の浸炭［４］
C23C 8/68 ・・・ボロナイジング［４］
C23C 8/70 ・・・・鉄系表面のボロナイジング［４］
C23C 8/72 ・・２以上の元素が１段階で用いられるもの［４］
C23C 8/74 ・・・浸炭窒化［４］
C23C 8/76 ・・・・鉄系表面の浸炭窒化［４］
C23C 8/78 ・・２以上の元素が２段階以上で用いられるもの［４］
C23C 8/80 ・後処理［４］
C23C 10/00 金属質材料表面への金属元素のみまたはけい素の固相拡散［４］
C23C 10/02 ・被覆される材料の前処理（１０／０４が優先）［４］
C23C 10/04 ・選択された表面部分への拡散，例．マスクを用いるもの［４］
C23C 10/06 ・ガスを用いるもの［４］
C23C 10/08 ・・１元素のみが拡散されるもの［４］
C23C 10/10 ・・・クロマイジング［４］
C23C 10/12 ・・・・鉄系表面のクロマイジング［４］
C23C 10/14 ・・２以上の元素が１段階で拡散されるもの［４］
C23C 10/16 ・・２以上の元素が２段階以上で拡散されるもの［４］
C23C 10/18 ・液体を用いるもの，例．塩浴，液体状懸濁液［４］
C23C 10/20 ・・１元素のみが拡散されるもの［４］
C23C 10/22 ・・・拡散される元素を含む溶融金属［４］
C23C 10/24 ・・・拡散される元素を含む塩浴［４］
C23C 10/26 ・・２以上の元素が拡散されるもの［４］
C23C 10/28 ・固体を用いるもの，例．粉末，ペースト［４］
C23C 10/30 ・・表面上に粉末またはペーストの層を用いるもの（固体の液中懸濁液を用いるもの１０／１８）［４］
C23C 10/32 ・・・クロマイジング［４］
C23C 10/34 ・・粉末混合物中に埋め込むもの，例．パックセメンテーション［４］
C23C 10/36 ・・・１元素のみが拡散されるもの［４］
C23C 10/38 ・・・・クロマイジング［４］
C23C 10/40 ・・・・・鉄系表面のクロマイジング［４］
C23C 10/42 ・・・・・・揮発性移送添加剤が存在するもの，例．ハロゲン化物質［４］
C23C 10/44 ・・・・シリコナイジング［４］
C23C 10/46 ・・・・・鉄系表面のシリコナイジング［４］
C23C 10/48 ・・・・アルミナイジング［４］
C23C 10/50 ・・・・・鉄系表面のアルミナイジング［４］
C23C 10/52 ・・・２以上の元素が１段階で拡散されるもの［４］
C23C 10/54 ・・・・少なともクロムが拡散するもの［４］
C23C 10/56 ・・・・・少くともクロムおよびアルミニウムが拡散するもの［４］
C23C 10/58 ・・・２以上の元素が２段階以上で拡散されるもの［４］
C23C 10/60 ・後処理［４］
C23C 12/00 金属質材料表面へのけい素以外の少くとも１つの非金属元素および少くとも１つの金属元素またはけい素の固相拡散［４］
C23C 12/02 ・１段階による拡散［４］
真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆［４］
C23C 14/00 被覆形成材料の真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆（放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管Ｈ０１Ｊ３７／００）［４］
C23C 14/00, A 箔、粉末の製造
C23C 14/00, B 装置の清浄、汚染防止〔清浄，汚染防止法を含む〕
C23C 14/00, C 真空処理
C23C 14/00, D 磁性材料
C23C 14/00, Z その他のＰＶＤ
C23C 14/02 ・被覆される材料の前処理（１４／０４が優先）［４］
C23C 14/02, A 有機質基板の前処理
C23C 14/02, B 磁性材料、半導体の前処理
C23C 14/02, Z その他の前処理
C23C 14/04 ・選択された表面部分の被覆，例．マスクを用いるもの［４］
C23C 14/04, A マスク
C23C 14/04, B レジスト
C23C 14/04, C 転写
C23C 14/04, Z その他の選択被覆
C23C 14/06 ・被覆材料に特徴のあるもの（１４／０４が優先）［４］
C23C 14/06, A 窒化物〔ＢＮ，炭窒化物等を除く〕
C23C 14/06, B 炭化物〔Ｃを除く〕
C23C 14/06, C 硼化物〔ＢＮを除く〕
C23C 14/06, D 硫化物
C23C 14/06, E けい化物
C23C 14/06, F 炭化膜〔グラフアイトダイヤモンド〕
C23C 14/06, G その他の化合物被膜〔Ｆ化物，Ａｓ化物〕
C23C 14/06, H 炭窒化物〔炭化物，窒化物との並列も含む〕
C23C 14/06, J ＢＮ
C23C 14/06, K 複合化合物被覆〔炭窒化物，多元金属化合物を除く〕
C23C 14/06, L 混合物膜〔多元金属化合物も含む〕
C23C 14/06, M 積層被覆一般〔拡散層は層に数えない，改質層は数える〕
C23C 14/06, N ・金属層を含む積層被覆
C23C 14/06, P ・金属層を含まない積層被覆
C23C 14/06, Q ・有機質層を含む積層被覆〔Ｎ，Ｐに優先〕
C23C 14/06, R 反射膜
C23C 14/06, S 超電導膜
C23C 14/06, T 磁性膜
C23C 14/06, Z その他の被覆材料
C23C 14/08 ・・酸化物（１４／１０が優先）［４］
C23C 14/08, A アルミ酸化物
C23C 14/08, B 鉄酸化物
C23C 14/08, C 亜鉛酸化物
C23C 14/08, D 錫酸化物またはインジウム酸化物（ＩＴＯ膜も含む）
C23C 14/08, E チタン酸化物
C23C 14/08, F Ｚｒ、Ｈｆの酸化物
C23C 14/08, G 耐火性金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆを除く、例Ｖ、Ｎｂ）の酸化物
C23C 14/08, H 貴金属の酸化物
C23C 14/08, J その他の単金属酸化物
C23C 14/08, K 複合酸化物（ＩＴＯ膜を除く多元金属酸化物）
C23C 14/08, L 酸化物超電導体
C23C 14/08, M 酸化物磁性膜
C23C 14/08, N 酸化物を含む積層
C23C 14/08, Z その他
C23C 14/10 ・・ガラスまたはシリカ［４］
C23C 14/12 ・・有機質材料［４］
C23C 14/14 ・・金属質材料，ほう素またはけい素［４］
C23C 14/14, A けい素〔結晶性シリカ〕
C23C 14/14, B Ａｌ〔Ａｌ５０％以上の合金を含む〕
C23C 14/14, C Ｚｎ〔Ｚｎ合金を含む，例Ｚｎ−Ｍｇ合金〕
C23C 14/14, D 金属質材料〔その他金属を特定したもの，Ｂを含む〕
C23C 14/14, E 非晶質金属質材料〔アモルフアスシリカを除く〕
C23C 14/14, F 磁性金属薄膜〔磁気記録媒体等〕
C23C 14/14, G 金属層のみからなる積層被膜
C23C 14/14, Z その他の金属質薄膜
C23C 14/16 ・・・金属質基板上またはほう素もしくはけい素の基板上に被覆するもの［４］
C23C 14/16, A 鋼板
C23C 14/16, B 超硬合金
C23C 14/16, C 装飾品
C23C 14/16, D 磁石
C23C 14/16, Z その他、金属質〔硼素，けい素を含む〕基板に特徴があるもの
C23C 14/18 ・・・その他の無機質基板上に被覆するもの［４］
C23C 14/20 ・・・有機質基板上に被覆するもの［４］
C23C 14/20, A 樹脂基板上への被覆
C23C 14/20, B 塗膜上への被覆
C23C 14/20, C 二層塗膜上への被覆
C23C 14/20, D 金属層の接着，転写
C23C 14/20, Z その他、有機質〔紙、繊維、等〕基板に特徴があるもの
C23C 14/22 ・被覆の方法に特徴のあるもの［４］
C23C 14/22, A 真空蒸着とイオン注入の併用〔ビームの同時照射１４／４８を除く〕
C23C 14/22, B スパツタリングとイオン注入の併用〔ビームの同時照射１４／４８を除く〕
C23C 14/22, C 真空蒸着とスパツタリングの併用
C23C 14/22, D マイクロ波を用いた被覆方法一般
C23C 14/22, E 磁性膜の被覆方法一般
C23C 14/22, F 補助的なエネルギー照射〔光照射を含む〕
C23C 14/22, Z その他被覆方法に特徴
C23C 14/24 ・・真空蒸着［４］
C23C 14/24, A 蒸発源容器本体〔材質、形状、構造、内面被覆〕
C23C 14/24, B 蒸発源容器の加熱，冷却
C23C 14/24, C 蒸発源容器の数，位置移動
C23C 14/24, D 蒸発源材料の供給、補給
C23C 14/24, E 蒸発源材料自体
C23C 14/24, F 電弧放電による蒸発，アーク放電蒸着
C23C 14/24, G 真空蒸着〔シヤツター，マスク〕
C23C 14/24, H 真空蒸着膜形成用基板本体
C23C 14/24, J 真空蒸着膜形成用基板の保持移動
C23C 14/24, K 真空蒸着膜形成用基板の加熱冷却
C23C 14/24, L 真空蒸着における加熱冷却〔基板の加熱，冷却を除く〕
C23C 14/24, M 真空蒸着における給排気，ガス組成
C23C 14/24, N 真空蒸着〔被膜を指定したもの〕
C23C 14/24, P 真空蒸着〔磁性，磁石〕
C23C 14/24, Q 真空蒸着〔超電導被膜〕
C23C 14/24, R 真空蒸着方法〔数値限定のあるもの〕
C23C 14/24, S 真空蒸着方法〔数値限定のないもの〕
C23C 14/24, T 上記に分類されない真空蒸着装置
C23C 14/24, U 真空蒸着の制御、検出
C23C 14/24, V 真空蒸着の連続処理
C23C 14/24, Z その他
C23C 14/26 ・・・ソースの抵抗加熱または誘導加熱によるもの［４］
C23C 14/26, A 抵抗加熱
C23C 14/26, B 誘導加熱
C23C 14/26, Z その他
C23C 14/28 ・・・波動エネルギーまたは粒子放射によるもの（１４／３２〜１４／４８が優先）［４］
C23C 14/30 ・・・・電子衝撃によるもの［４］
C23C 14/30, A 蒸発源〔構造、移動、冷却、補給、検知、制御〕
C23C 14/30, B 電子線源〔電子銃の構造、電子ビームの偏向〕
C23C 14/30, Z その他
C23C 14/32 ・・・爆発によるもの；蒸発およびその後の蒸気のイオン化によるもの（１４／３４〜１４／４８が優先）［４］
C23C 14/32, A 蒸発源
C23C 14/32, B イオン化部
C23C 14/32, C 加速部
C23C 14/32, D 基板部
C23C 14/32, E ガス供給排気部
C23C 14/32, F イオンビーム蒸着
C23C 14/32, G ・クラスターイオンビーム蒸着
C23C 14/32, H ＨＣＤ
C23C 14/32, Z その他
C23C 14/34 ・・スパッタリング［４］
C23C 14/34, A ターゲツトの材質〔複合ターゲツトを含む〕
C23C 14/34, B ターゲツトの形状
C23C 14/34, C ターゲツトの設置〔周辺装置，複数ターゲツトを含む〕
C23C 14/34, D 対向ターゲツト式スパツタリング
C23C 14/34, E 同軸型スパツタリング
C23C 14/34, F スパツタガン
C23C 14/34, G シヤツター
C23C 14/34, H スパツタリング膜形成用基板本体
C23C 14/34, J スパツタリング膜形成用基板の保持移動
C23C 14/34, K スパツタリング膜形成用基板の加熱冷却
C23C 14/34, L スパツタリングにおける加熱冷却〔基板の加熱冷却を除く〕
C23C 14/34, M スパツタリングにおける給排気、ガス組成
C23C 14/34, N スパツタリング「被膜を指定したもの〕
C23C 14/34, P スパツタリング〔磁性、磁石〕
C23C 14/34, Q スパツタリング〔超電導被膜〕
C23C 14/34, R スパツタリング方法〔数値限定のあるもの〕
C23C 14/34, S スパツタリング方法〔数値限定のないもの〕
C23C 14/34, T 上記に分類されないスパツタリング装置
C23C 14/34, U スパツタリングの制御、検出
C23C 14/34, V スパツタリングの連続処理
C23C 14/34, Z その他
C23C 14/35 ・・・磁界の適用によるもの，例．マグネトロンスパッタリング［５］
C23C 14/35, A エロージヨン領域の拡大
C23C 14/35, B ・磁石の移動
C23C 14/35, C ・磁界の制御
C23C 14/35, D ・・磁性体ターゲツトに対する漏洩磁界の形成
C23C 14/35, E 平行磁界の形成
C23C 14/35, F マイクロ波の利用
C23C 14/35, Z その他
C23C 14/36 ・・・ダイオードスパッタリング（１４／３５が優先）［４，５］
C23C 14/38 ・・・・直流グロー放電によるもの［４］
C23C 14/40 ・・・・交流放電を伴うもの，例．高周波放電［４］
C23C 14/42 ・・・トリオードスパッタリング（１４／３５が優先）［４，５］
C23C 14/44 ・・・・高周波および追加的な直流電圧の適用によるもの［４］
C23C 14/46 ・・・外部のイオン源により作られたイオンビームによるもの（１４／４０が優先）［４］
C23C 14/46, A 反応性
C23C 14/46, B ビーム源及びビームの処理
C23C 14/46, C ターゲツト部
C23C 14/46, Z その他
C23C 14/48 ・・イオン注入法［４］
C23C 14/48, A 注入条件の限定〔注入量，加速電圧，入射角等〕
C23C 14/48, B 注入条件の検出または制御
C23C 14/48, C 蓄積電荷の除去
C23C 14/48, D イオンビームミキシング〔ビームアシストを含む〕
C23C 14/48, Z その他
C23C 14/50 ・・基板保持具［４］
C23C 14/50, A 固着手段〔吸着〕
C23C 14/50, B 固着手段〔弾性〕
C23C 14/50, C 固着手段〔中間層〕
C23C 14/50, D 固着手段一般
C23C 14/50, E 基板の加熱，冷却
C23C 14/50, F 基板の保持〔マスク・シヤツター〕
C23C 14/50, G 公転
C23C 14/50, H ・自公転
C23C 14/50, J 自転のみ
C23C 14/50, K 被蒸着物の移動〔脱着・搬出入・振動・直線移動〕
C23C 14/50, Z その他
C23C 14/52 ・・被覆工程の観察のための手段［４］
C23C 14/54 ・・被覆工程の制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［４］
C23C 14/54, A 膜材料供給部の制御
C23C 14/54, B 真空槽内雰囲気〔給排気・プラズマ等〕の制御
C23C 14/54, C 膜形成部の制御
C23C 14/54, D ・基板及び被膜の温度制御
C23C 14/54, E 被膜の光学的検知
C23C 14/54, F フイードバツク制御
C23C 14/54, G マスク、シヤツターの制御
C23C 14/54, Z その他の制御
C23C 14/56 ・・連続被覆のために特に適合した装置；真空を維持するための装置，例．真空ロック［４］
C23C 14/56, A 長尺物基体の連続処理
C23C 14/56, B ・移動に関するもの
C23C 14/56, C ・シールに関するもの
C23C 14/56, D ・加熱冷却
C23C 14/56, E ・スパツタリングに関するもの
C23C 14/56, F 長尺物を除く基体の連続処理
C23C 14/56, G ・移動及び搬出入に関するもの
C23C 14/56, H ・スパツタリングに関するもの
C23C 14/56, J マスク、シヤツター
C23C 14/56, K 磁性膜
C23C 14/56, L コンデンサー用電極箔
C23C 14/56, Z その他
C23C 14/58 ・後処理［４］
C23C 14/58, A 熱処理〔Ｃ優先〕
C23C 14/58, B ＰＶＤ膜上に新たな膜形成を伴うもの
C23C 14/58, C エネルギービーム照射
C23C 14/58, D 磁性膜の後処理
C23C 14/58, Z その他の後処理
分解による化学的析出またはメッキ；接触メッキ［４］
C23C 16/00 ガス状化合物の分解による化学的被覆であって，表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの，すなわち化学蒸着（ＣＶＤ）法（反応性スパッタリングまたは真空蒸着１４／００）［４］
C23C 16/01 ・一時的な基板上に行うもの，例．エッチングによって結果的に除去されるような基板の上［７］
C23C 16/02 ・被覆される材料の前処理（１６／０４が優先）［４］
C23C 16/04 ・選択された表面部分への被覆，例．マスクを用いるもの［４］
C23C 16/06 ・金属質材料の析出に特徴のあるもの［４］
C23C 16/08 ・・金属ハロゲン化物からのもの［４］
C23C 16/10 ・・・クロムのみの析出［４］
C23C 16/12 ・・・アルミニウムのみの折出［４］
C23C 16/14 ・・・その他の１金属元素のみの析出［４］
C23C 16/16 ・・金属カルボニル化合物からのもの［４］
C23C 16/18 ・・金属有機質化合物からのもの［４］
C23C 16/20 ・・・アルミニウムのみの析出［４］
C23C 16/22 ・金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの［４］
C23C 16/24 ・・けい素のみの析出［４］
C23C 16/26 ・・炭素のみの析出［４］
C23C 16/27 ・・・ダイヤモンドのみの析出［７］
C23C 16/28 ・・その他の１非金属元素のみの析出［４］
C23C 16/30 ・・化合物，混合物または固溶体の析出，例．ほう化物，炭化物，窒化物［４］
C23C 16/32 ・・・炭化物［４］
C23C 16/34 ・・・窒化物［４］
C23C 16/36 ・・・炭窒化物［４］
C23C 16/38 ・・・ほう化物［４］
C23C 16/40 ・・・酸化物［４］
C23C 16/42 ・・・けい化物［４］
C23C 16/44 ・被覆の方法に特徴のあるもの（１６／０４が優先）［４］
C23C 16/44, A 方法
C23C 16/44, B 装置と関連するもの
C23C 16/44, E ・廃ガスの処理
C23C 16/44, F ・基体の搬送
C23C 16/44, G ・基台の駆動
C23C 16/44, J ・反応物の除去、付着防止
C23C 16/44, Z その他
C23C 16/442 ・・流体床法を用いるもの［７］
C23C 16/448 ・・反応性ガス流を発生させるために用いる方法に特徴があるもの，例．先行する材料の蒸発または昇華によるもの［７］
C23C 16/452 ・・・反応室に導入する前に反応ガス流を活性化させることによるもの，例．反応種のイオン化または添加によるもの［７］
C23C 16/453 ・・反応ガスをバーナーまたはトーチへ通すもの，例．空気圧ＣＶＤ（１６／５１３が優先；溶解被覆材料の，火炎またはプラズマによるスプレー用のもの４／００）［７］
C23C 16/455 ・・ガスを反応室に導入するため，または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの［７］
C23C 16/458 ・・反応室の基板を支えるのに使われる方法に特徴があるもの［７］
C23C 16/46 ・・基板を加熱するのに使われる方法に特徴があるもの（１６／４８，１６／５０が優先）［４］
C23C 16/48 ・・放射によるもの，例．光分解，放射線分解，粒子放射［４］
C23C 16/50 ・・放電を用いるもの［４］
C23C 16/503 ・・・交流または直流放電を使用するもの［７］
C23C 16/505 ・・・高周波放電によるもの［７］
C23C 16/507 ・・・・外部電極，例．トンネル型のリアクトル，を用いるもの［７］
C23C 16/509 ・・・・内部電極を用いるもの［７］
C23C 16/511 ・・・マイクロ波放電を用いるもの［７］
C23C 16/513 ・・・プラズマジェットを用いるもの［７］
C23C 16/515 ・・・パルス放電を用いるもの［７］
C23C 16/517 ・・・１６／５０３〜１６／５１５のグループのうち二つ以上に分類される放電の組み合わせを用いるもの［７］
C23C 16/52 ・・被覆工程の制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［４］
C23C 16/54 ・・連続被覆に特に適合した装置［４］
C23C 16/56 ・後処理［４］
C23C 18/00 液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの（化学的表面反応８／００，２２／００）；接触メッキ［４］
＜注＞このグループは反応性液体と非反応性固体粒子とを含有する懸濁物も包含する。［４］
C23C 18/02 ・熱分解によるもの［４］
C23C 18/04 ・・被覆される材料の前処理（１８／０６が優先）［４］
C23C 18/06 ・・選択された表面部分の被覆，例．マスクを用いるもの［４］
C23C 18/08 ・・金属質材料の析出に特徴のあるもの［４］
C23C 18/10 ・・・アルミニウムのみの析出［４］
C23C 18/12 ・・金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの［４］
C23C 18/14 ・放射による分解，例．光分解，粒子放射［４］
C23C 18/16 ・還元または置換によるもの，例．無電解メッキ（１８／５４が優先）［４］
C23C 18/16, A 樹脂表面へのメッキ
C23C 18/16, B 半導体表面へのメツキ
C23C 18/16, Z その他（含 廃液処理、後処理）
C23C 18/18 ・・被覆される材料の前処理［４］
C23C 18/20 ・・・有機質表面の前処理，例．樹脂［４］
C23C 18/20, A 電磁波照射
C23C 18/20, Z その他
C23C 18/22 ・・・・粗面化，例．エッチングによるもの［４］
C23C 18/24 ・・・・・酸性水溶液を用いるもの［４］
C23C 18/26 ・・・・・有機質液体を用いるもの［４］
C23C 18/28 ・・・・増感処理または活性化処理［４］
C23C 18/30 ・・・・・活性化処理［４］
C23C 18/31 ・・金属による被覆［５］
C23C 18/31, A 特定物品〔除、プリント配線板〕への被覆
C23C 18/31, E 装置
C23C 18/31, Z その他
C23C 18/32 ・・・鉄，コバルトまたはニッケルのうちいずれか一種による被覆；これら金属の１つとりんまたはほう素の混合物で被覆するもの［４，５］
C23C 18/34 ・・・・還元剤を用いるもの［４，５］
C23C 18/36 ・・・・・次亜りん酸塩を用いるもの［４，５］
C23C 18/38 ・・・銅による被覆［４，５］
C23C 18/40 ・・・・還元剤を用いるもの［４，５］
C23C 18/42 ・・・貴金属による被覆［４，５］
C23C 18/44 ・・・・還元剤を用いるもの［４，５］
C23C 18/48 ・・合金による被覆［４，５］
C23C 18/50 ・・・鉄，コバルトまたはニッケルを基とする合金によるもの（１８／３２が優先）［４，５］
C23C 18/52 ・・グループ１８／３２から１８／５０の単一グループに分類されない金属質材料による被覆のために還元剤を用いるもの［４］
C23C 18/52, A 粒子分散複合メツキ液を用いるもの
C23C 18/52, B 多層メツキ
C23C 18/52, Z その他
C23C 18/54 ・接触メッキ，すなわち無電解電気化学メッキ［４］
C23C 20/00 固体化合物または懸濁物のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって，表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの（化学的表面反応８／００，２２／００）［４］
＜注＞このグループは非反応性液体と反応性固体粒子とを含有する懸濁物も包含する。［４］
C23C 20/02 ・金属質材料による被覆［４］
C23C 20/04 ・・金属によるもの［４］
C23C 20/06 ・金属質材料以外の無機質材料による被覆［４］
C23C 20/08 ・・化合物，混合物または固溶体によるもの，例．ほう化物，炭化物，窒化物［４］
＜見出し終了＞
C23C 22/00 表面と反応性液体との反応による金属質材料の化学的表面処理であって，表面材料の反応生成物を被覆層中に残すもの，例．化成被覆（ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｃｏａｔｉｎｇｓ）金属の不動態化（ウオッシュプライマーＣ０９Ｄ５／１２）［４］
＜注＞（１）このグループは，反応性液体と非反応性固体粒子とを含有する懸濁物も包含する。［４］
（２）浴の回復処理（Ｒｅｊｕｖｅｎａｔｉｎｇ）は特定の浴組成のための適切な箇所に分類される。［４］
グループ２２／０２から２２／８６においては，相反する指示がない限り，最後の適切な箇所に分類する。［４］
C23C 22/00, A 電磁鋼板〔フオルステライト被膜が主〕
C23C 22/00, B ・りん酸，クロム酸を用いるもの
C23C 22/00, Z その他
C23C 22/02 ・非水溶液を用いるもの［４］
C23C 22/03 ・・りん化合物を含むもの［４］
C23C 22/04 ・・６価クロム化合物を含むもの［４］
C23C 22/05 ・水溶液を使用するもの［５］
C23C 22/06 ・・ｐＨ＜６の酸性水溶液を用いるもの［４，５］
C23C 22/07 ・・・りん酸塩を含むもの［４，５］
C23C 22/08 ・・・・オルトりん酸塩を含むもの［４，５］
C23C 22/10 ・・・・・酸化剤を含むもの［４，５］
C23C 22/12 ・・・・・亜鉛のカチオンを含むもの［４，５］
C23C 22/13 ・・・・・・硝酸または亜硝酸のアニオンをさらに含むもの［４，５］
C23C 22/14 ・・・・・・塩素酸アニオンをさらに含むもの［４，５］
C23C 22/16 ・・・・・・過酸化物をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/17 ・・・・・・有機酸をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/18 ・・・・・マンガンカチオンを含むもの［４，５］
C23C 22/20 ・・・・・アルミニウムカチオンを含むもの［４，５］
C23C 22/22 ・・・・・アルカリ土類金属のカチオンを含むもの［４，５］
C23C 22/23 ・・・・縮合りん酸塩を含むもの［４，５］
C23C 22/24 ・・・６価クロム化合物を含むもの［４，５］
C23C 22/26 ・・・・有機化合物をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/27 ・・・・・酸を含むもの［４，５］
C23C 22/28 ・・・・・高分子化合物を含むもの［４，５］
C23C 22/30 ・・・・３価クロムをさらに含むもの［４，５］
C23C 22/32 ・・・・粉末状金属をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/33 ・・・・りん酸塩をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/34 ・・・ふっ化物または錯ふっ化物を含むもの［４，５］
C23C 22/36 ・・・・りん酸塩をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/37 ・・・・６価クロム化合物をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/38 ・・・・・りん酸塩をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/40 ・・・モリブデン酸塩，タングステン酸塩またはバナジン酸塩を含むもの［４，５］
C23C 22/42 ・・・・りん酸塩をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/43 ・・・・６価クロム化合物をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/44 ・・・・ふっ化物または錯ふっ化物をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/46 ・・・しゅう酸塩を含むもの［４，５］
C23C 22/47 ・・・・りん酸塩をさらに含むもの［４，５］
C23C 22/48 ・・・りん酸塩，６価クロム化合物，ふっ化物もしくは錯ふっ化物，モリブデン酸塩，タングステン酸塩，バナジン酸塩またはしゅう酸塩を含まないもの［４，５］
C23C 22/50 ・・・・鉄または鉄を基とする合金の処理［４，５］
C23C 22/52 ・・・・銅または銅を基とする合金の処理［４，５］
C23C 22/53 ・・・・亜鉛または亜鉛を基とする合金の処理［４，５］
C23C 22/54 ・・・・耐火金属または耐火金属を基とする合金の処理［４，５］
C23C 22/56 ・・・・アルミニウムまたはアルミニウムを基とする合金の処理［４，５］
C23C 22/57 ・・・・マグネシウムまたはマグネシウムを基とする合金の処理［４，５］
C23C 22/58 ・・・・その他金属質材料の処理［４，５］
C23C 22/60 ・・ｐＨ＞８のアルカリ性水溶液を用いるもの［４，５］
C23C 22/62 ・・・鉄または鉄を基とする合金の処理［４，５］
C23C 22/63 ・・・銅または銅を基とする合金の処理［４，５］
C23C 22/64 ・・・耐火金属または耐火金属を基とする合金の処理［４，５］
C23C 22/66 ・・・アルミニウムまたはアルミニウムを基とする合金の処理［４，５］
C23C 22/67 ・・・・６価クロムを含む溶液によるもの［４，５］
C23C 22/68 ・・ｐＨ６〜８の水溶液を用いるもの［４，５］
C23C 22/70 ・溶融物を用いるもの［４］
C23C 22/72 ・・鉄または鉄を基とする合金の処理［４］
C23C 22/73 ・方法に特徴のあるもの［４］
C23C 22/73, A 装置に特徴のあるもの〔スプレー除く〕
C23C 22/73, Z その他
C23C 22/74 ・・焼付け化成被覆層を得るためのもの［４］
C23C 22/76 ・・スプレーにより液体を適用するもの［４］
C23C 22/77 ・・被覆工程の制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［４］
C23C 22/78 ・被覆される材料の前処理［４］
C23C 22/80 ・・チタニウムまたはジルコニウム化合物を含む溶液によるもの［４］
C23C 22/82 ・後処理［４］
C23C 22/83 ・・化学的後処理［４］
C23C 22/84 ・・染色［４］
C23C 22/86 ・被覆浴の再生［４］
C23C 24/00 無機質粉末から出発する被覆（溶融状態にある被覆材料のスプレー４／００；固相拡散８／００〜１２／００；金属質粉末を焼結することによる複合層，複合工作物または複合物品の製造Ｂ２２Ｆ７／００；まさつ接合Ｂ２３Ｋ２０／１２）［４］
C23C 24/02 ・圧力のみを加えることによるもの［４］
C23C 24/04 ・・粒子の衝撃析出または動力学的析出［４］
C23C 24/06 ・・粉末状被覆物質を加圧するもの，例．圧延によるもの［４］
C23C 24/08 ・熱または圧力と熱の適用によるもの（２４／０４が優先）［４］
C23C 24/08, A 金属質材料による被覆
C23C 24/08, B ・金属材料
C23C 24/08, C 無機質非金属質材料による被覆
C23C 24/08, Z その他のもの
C23C 24/10 ・・層内で液相の中間形成によるもの［４］
C23C 24/10, A 金属質材料による被覆
C23C 24/10, B ・金属材料
C23C 24/10, D ・・低溶点材料のみが溶融するもの
C23C 24/10, C 無機質非金属質材料による被覆
C23C 24/10, Z その他のもの
C23C 26/00 グループ２／００から２４／００に分類されない被覆［４］
C23C 26/00, A 被覆材料〔Ｄ〜Ｍが優先〕
C23C 26/00, B ・金属質材料
C23C 26/00, N ・・層内で液相の中間形成によるもの
C23C 26/00, C ・無機質非金属質材料
C23C 26/00, D 放電被覆
C23C 26/00, G ・接触開離によるもの
C23C 26/00, E 高エネルギー定を適用するもの〔基材までとかす場合も含む〕
C23C 26/00, H ・添加成分が気体であるもの
C23C 26/00, J ・添加成分を用いないもの
C23C 26/00, F 着色
C23C 26/00, K 含浸，充填
C23C 26/00, L 被覆方法に特徴のない表面処理工程
C23C 26/00, M ・被膜への処理，例．放電，摩擦力〔基材をとかさない場合〕
C23C 26/00, Z その他のもの
C23C 26/02 ・基板に溶融材料を適用するもの（表面への溶融物の適用一般Ｂ０５）［４］
C23C 28/00 メイングループ２／００から２６／００の単一のメイングループに分類されない方法によるかまたはサブクラスＣ２３ＣおよびＣ２５ＣもしくはＣ２５Ｄに分類される方法の組合わせによる少なくとも２以上の重ね合わせ被覆層を得るための被覆［４］
C23C 28/00, A 金属質材料の被覆を有するもの
C23C 28/00, B ・金属質材料と無機質非金属質材料の被覆を有するもの
C23C 28/00, C ・・無機質非金属質材料の被覆が化成処理によるもの〔含陽極酸化，電解クロメート〕
C23C 28/00, D 非金属基材への被覆
C23C 28/00, E パターンの形成；部分被覆
C23C 28/00, Z その他のもの
C23C 28/02 ・金属質材料のみの被覆［４］
C23C 28/04 ・無機質非金属材料のみの被覆［４］
C23C 30/00 金属材料の組成にのみ特徴のある金属質材料による被覆，すなわち被覆方法に特徴のないもの（２６／００，２８／００が優先）［４］
C23C 30/00, A 金属質材料による被覆
C23C 30/00, B ・金属材料による被覆
C23C 30/00, C 無機質非金属質材料による被覆
C23C 30/00, D 非金属基材への被覆
C23C 30/00, E パターンの形成；部分被覆
C23C 30/00, Z その他のもの
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