G11C 静的記憶（記録担体と変換器の相対運動に基いた情報記憶Ｇ１１Ｂ；記憶用の半導体装置Ｈ０１Ｌ，例．Ｈ０１Ｌ２７／１０８から２７／１１５；パルス技術一般Ｈ０３Ｋ，例．電子的スイッチＨ０３Ｋ１７／００）　WebFI　FI記号=2010年8月版
　　＜注＞（１）このサブクラスは，デジタルまたはアナログ情報を記憶するための装置または機構であって，以下の条件を満たすものを包含する：
　　（ｉ）情報記憶素子と変換器との間に相対運動がなく；
　　（ｉｉ）情報を記憶装置へ書き込みまたは記憶装置から読み出すために選択装置と共動する。
　　（２）このサブクラスは，記憶に適合されない素子であって，以下の注（３）に述べるような手段を備えていない素子を包含せず，その素子は適切なサブクラス，例．Ｈ０１のサブクラス，Ｈ０３Ｋに分類される。
　　（３）このサブクラスにおいては，下記の用語は以下に示す意味で用いる：［８］
　　―“記憶素子”とは，少なくとも１項目の情報を維持することが可能な，書込むためのまたは読み出すための手段を備えている素子を意味する。［８］
　　―“メモリ”とは，記憶素子を含めて装置を意味し，これには必要に応じて取り出すことができる情報を維持することが可能である。［８］
　　＜索引＞情報の書込みまたは読出し　７／００
　　アドレスの選択　８／００
　　素子の形式によって特徴づけられたデジタル記憶
　　電気的，磁気的なもの；その細部　１１／００；５／００
　　機械的なもの　２３／００
　　流体的なもの　２５／００
　　その他の形式　１３／００
　　バックアップ手段によって特徴づけられたデジタル記憶　１４／００
　　消去可能でプログラム可能な読出し専用メモリ　１６／００
　　情報の転位によって特徴づけられたデジタル記憶
　　シフト；循環　１９／００，２１／００
　　機能によって特徴づけられる記憶
　　連想記憶；アナログ；読出し専用　１５／００；２７／００；１７／００
　　記憶のチェック　２９／００
　　このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項　９９／００

G11C 5/00 １１／００に分類される記憶装置の細部
G11C 5/00, B 構造
G11C 5/00, Z その他
G11C 5/00,301 ・カセツト
G11C 5/00,301A カード
G11C 5/00,301B 構造
G11C 5/00,301Z その他
G11C 5/00,302 ・・ＲＯＭカセツト
G11C 5/00,302A 構造
G11C 5/00,302Z その他
G11C 5/00,303 ・・ＲＡＭカセツト
G11C 5/00,303A 構造
G11C 5/00,303Z その他
G11C 5/02 ・記憶素子の配置，例．マトリックス配列におけるもの
G11C 5/04 ・・記憶素子のための支持体；そのような支持体への記録素子の取付けまたは固定
G11C 5/05 ・・・コアをマトリックス状に支持するもの［２］
G11C 5/06 ・記憶素子を電気的に相互結合する機構，例．ワイヤリング
G11C 5/08 ・・磁気的素子を相互結合するためのもの，例．トロイダル磁心に対するもの
G11C 5/10 ・・コンデンサを相互結合するためのもの
G11C 5/12 ・記憶素子を相互結合するために用いる装置または方法，例．磁心に線を通すためのもの
G11C 5/14 ・電力供給装置（半導体装置を用いる周辺記憶回路１１／４０６３，１１／４１３，１１／４１９３，一般Ｇ０５Ｆ，Ｈ０２Ｊ，Ｈ０２Ｍ）［５，７］

G11C 7/00 デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構（５／００が優先；トランジスタを用いる記憶装置のためのもの１１／４０７，１１／４１３）「２」「５」
G11C 7/00,301 ・磁気メモリへの書込み読出し
G11C 7/00,301A 旧法分
G11C 7/00,301B 公開分
G11C 7/00,301Z その他
G11C 7/00,311 ・半導体メモリへの書込み読出し
G11C 7/00,311A 異種メモリの組み合わせ
G11C 7/00,311B ビツト長対策
G11C 7/00,311C 端子数削減
G11C 7/00,311D リセツト・クリア
G11C 7/00,311E 節電
G11C 7/00,311F 特殊用途
G11C 7/00,311G 誤動作対策
G11C 7/00,311Z その他
G11C 7/00,312 ・・高速化
G11C 7/00,312A インターリーブ
G11C 7/00,312B 同時リード・ライト
G11C 7/00,312C ページ・ニブルモード
G11C 7/00,312Z その他
G11C 7/00,313 ・・タイミングに関するもの
G11C 7/00,314 ・・アナログ信号の書込み読出し
G11C 7/00,315 ・・ＩＣカードへの書込み読出し
G11C 7/00,317 ・・書込み順序により読出し順序が決まるもの
G11C 7/00,318 ・・・ＦＩＦＯ
G11C 7/00,318A ＲＡＭ型
G11C 7/00,318B シフト型
G11C 7/00,318Z その他
G11C 7/00,319 ・・・ＬＩＦＯ
G11C 7/00,319A ＲＡＭ型
G11C 7/00,319B シフト型
G11C 7/00,319Z その他
G11C 7/00,321 ・その他のメモリへの書込み読出し
G11C 7/02 ・寄生信号を回避する手段をもつもの
G11C 7/04 ・温度の影響に基づく障害を除去する手段をもつもの
G11C 7/06 ・増幅器の適合化（増幅器それ自体Ｈ０３Ｆ，Ｋ）

G11C 8/00 デジタル記憶装置のアドレスを選択する機構（１１／００〜１７／００が優先；トランジスタを用いる記憶装置のためのもの１１／４０７，１１／４１３）「２」「５」
G11C 8/00,301 ・磁気メモリのアドレス選択
G11C 8/00,301A 旧法分
G11C 8/00,301B 公開分
G11C 8/00,301Z その他
G11C 8/00,311 ・半導体メモリのアドレス選択
G11C 8/00,311A アドレス拡張・メモリ増設
G11C 8/00,311Z その他
G11C 8/00,312 ・・記憶群の選択
G11C 8/00,314 ・・アドレスマルチプレツクス
G11C 8/02 ・選択マトリックスを用いるもの「２」
G11C 8/04 ・順次アドレシング装置，例．シフトレジスタ，カウンタ，を用いるもの「５」

G11C 11/00 特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置；そのための記憶素子（１５／００〜２１／００が優先）
　　＜注＞注このグループ１１／５６はグループ１１／０２から１１／５４に優先する。
G11C 11/02 ・磁気的素子を用いるもの
G11C 11/02, A コアメモリ一般
G11C 11/02, B 製造法
G11C 11/02, C アドレス選択
G11C 11/02, D 駆動
G11C 11/02, E 感知
G11C 11/02, F 雑音対策
G11C 11/02, G 温度補償
G11C 11/02, H 試験・保護・誤動作
G11C 11/02, Z その他
G11C 11/04 ・・シリンダ状の記憶素子，例．ロッド，ワイヤを用いるもの（１１／１２，１１／１４が優先）
G11C 11/06 ・・単一記憶素子を用いるもの，例．トロイダル磁心；多孔板を用い，それぞれの孔が一つの記憶素子を構成するもの
G11C 11/061 ・・・１素子で１ビットを記憶し，破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの
G11C 11/063 ・・・・２Ｌ／２Ｄ，３Ｄオーガニゼイションのようにビットが組織化されたもの，すなわち書込みと読出しにあたり少なくとも２つの一致した局部電流により１つの記憶素子を選択するために組織化されたもの
G11C 11/065 ・・・・２Ｄオーガニゼイションまたはリニヤ選択のようにワードが組織化されたもの，すなわち単独の十分な読出し電流により１ワード分の全記憶素子を選択するために組織化されたもの
G11C 11/067 ・・・１素子で１ビットを記憶し，非破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの
G11C 11/08 ・・多孔記憶素子を用いるもの，例．トランスフラクサを用いるもの；複数個の独立した多孔記憶素子を板状体を用いて構成するもの（１１／１０が優先；多孔板を用いるもであってもそれぞれの孔が一つの記憶素子を構成するようになっているもの１１／０６）
G11C 11/10 ・・多軸記憶素子を用いるもの
G11C 11/12 ・・テンサーを用いるもの；トゥイスタを用いるもの，すなわち一方の磁化軸がねじられているもの
G11C 11/14 ・・薄膜素子を用いるもの
G11C 11/14, A 素子及び基板の構成
G11C 11/14, B 開磁路構成
G11C 11/14, C 閉磁路構成
G11C 11/14, D 特に容易軸を使用しないもの
G11C 11/14, E 駆動
G11C 11/14, F 一般
G11C 11/14, Z その他
G11C 11/14,301 ・・・磁気バブルメモリ装置
G11C 11/14,302 ・・・・材料及び製法
G11C 11/14,302A 磁性材料
G11C 11/14,302B アモルフアス
G11C 11/14,302C 製法技術
G11C 11/14,302D ・エピタキシヤル
G11C 11/14,302E ・マスク・位置合わせ
G11C 11/14,302F ・露光・レジスト・エツチング
G11C 11/14,302G ・ドライエツチング・プラズマ処理
G11C 11/14,302H ・プレーナプロセス
G11C 11/14,302J ・イオン注入
G11C 11/14,302K ・ハードバブル抑制
G11C 11/14,302L ・熱処理
G11C 11/14,302M ・ウエーフア・スクライブ
G11C 11/14,302N パターン製法プロセス
G11C 11/14,302P ・スペーサ・絶縁膜
G11C 11/14,302Q ・保護膜
G11C 11/14,302R ・磁性膜
G11C 11/14,302S ・転送路パターン
G11C 11/14,302T ・導体パターン
G11C 11/14,302U ・電極部
G11C 11/14,302V ・検出器
G11C 11/14,302Z その他
G11C 11/14,303 ・・・・デバイス
G11C 11/14,303A イオン注入デバイス
G11C 11/14,303B ・イオン注入磁荷壁転送路
G11C 11/14,303C ・・コーナーパターン
G11C 11/14,303D ・トランスフアゲート
G11C 11/14,303E ・スワツプゲート
G11C 11/14,303F ・リプリケータ
G11C 11/14,303G ・伸長・検出
G11C 11/14,303H 複合型イオン注入デバイス
G11C 11/14,303J 電流駆動型デバイス
G11C 11/14,303K ・二層導体電流駆動デバイス
G11C 11/14,303L バブルラテイス
G11C 11/14,303M ブロツホラインメモリ
G11C 11/14,303N チツプアーキテクチヤー
G11C 11/14,303P ・機能要素の配置
G11C 11/14,303Q ・メジヤーマイナー及びシングルループ構成
G11C 11/14,303R ・・二階層メモリ
G11C 11/14,303S ・ブロツク分割
G11C 11/14,303Z その他
G11C 11/14,304 ・・・・機能要素
G11C 11/14,304A 発生
G11C 11/14,304B ・種バブル分割
G11C 11/14,304C ・発生器用ドライバー
G11C 11/14,304D 消滅
G11C 11/14,304E ・ガードレール
G11C 11/14,304F 検出
G11C 11/14,304G ・検出器構成パターン
G11C 11/14,304H ・検出器の材料及び磁気特性
G11C 11/14,304J ・光学的効果
G11C 11/14,304K ・ホール効果
G11C 11/14,304L ・ストレツチヤー
G11C 11/14,304M 転送路
G11C 11/14,304N ・転送路構成パターン
G11C 11/14,304P ・コーナーパターン
G11C 11/14,304Q ・倍長周期転送パターン
G11C 11/14,304R ・変形マイナーループ構造
G11C 11/14,304S ゲート
G11C 11/14,304T ・トランスフアゲート
G11C 11/14,304U ・スワツプゲート
G11C 11/14,304V ・リプリケータ
G11C 11/14,304W ・磁気バブル論理回路
G11C 11/14,304X センス回路
G11C 11/14,304Z その他
G11C 11/14,305 ・・・・駆動回路
G11C 11/14,305A 回転磁界用コイルドライバー
G11C 11/14,305B ・正弦波電流発生回路
G11C 11/14,305C ・三角波及び台形波電流発生回路
G11C 11/14,305D ・始動停止制御
G11C 11/14,305E フアンクシヨンドライバー
G11C 11/14,305F 駆動コイル
G11C 11/14,305G ・長方形コイル
G11C 11/14,305H ・フラツトコイル
G11C 11/14,305J ・額縁形コイル
G11C 11/14,305K ・プリントコイル
G11C 11/14,305L ・巻線密度
G11C 11/14,305Z その他
G11C 11/14,306 ・・・・制御
G11C 11/14,306A バブルメモリコントローラ
G11C 11/14,306B ・搭載メモリユニツトの種別検出及び増設
G11C 11/14,306C ・ＣＰＵとバブルメモリコントローラ間のデータ転送
G11C 11/14,306D アドレス制御
G11C 11/14,306E ・マーカーループ・アドレスループ
G11C 11/14,306F ・起動停止時のアドレスカウンタのイニシヤライズ
G11C 11/14,306G リードライト制御・メモリプロテクト
G11C 11/14,306H エラー検出訂正
G11C 11/14,306J 温度検出及び温度補償
G11C 11/14,306K 電源異常対策
G11C 11/14,306L パルス発生回路
G11C 11/14,306Z その他
G11C 11/14,307 ・・・・欠陥補償
G11C 11/14,307A 不良ループ情報のマツプループへの格納
G11C 11/14,307B 不良ループ情報のＲＯＭへの格納
G11C 11/14,307C 不良ループ情報の表示
G11C 11/14,307Z その他
G11C 11/14,308 ・・・・実装及び試験
G11C 11/14,308A 実装
G11C 11/14,308B ・プリント配線基板・チツプ実装
G11C 11/14,308C ・コイル装着
G11C 11/14,308D ・リードフレーム及び端子
G11C 11/14,308E ・静電及び電磁誘導雑音の防止
G11C 11/14,308F ・放熱対策
G11C 11/14,308G ・樹脂モールド
G11C 11/14,308H ・シールドケース
G11C 11/14,308J バイアス磁界
G11C 11/14,308K ・バイアス磁界の温度補償
G11C 11/14,308L ・バイアス磁石の着磁減磁
G11C 11/14,308M ・バイアス磁界発生用イニシヤルコイル
G11C 11/14,308N ホールド磁界
G11C 11/14,308P 試験
G11C 11/14,308Q 特性測定
G11C 11/14,308Z その他
G11C 11/14,309 ・・・・応用
G11C 11/14,309A 磁気バブルカセツトメモリ
G11C 11/14,309B ・ロツク・エジエクト機構
G11C 11/14,309C ・コネクタ
G11C 11/14,309D ・挿入・抜き取り状態の検出
G11C 11/14,309E ・書き込み禁止状態の設定
G11C 11/14,309F ・カセツトタイプの識別
G11C 11/14,309G ・不良ループ対策
G11C 11/14,309H ・電磁誘導雑音及び静電気対策
G11C 11/14,309J ・熱対策
G11C 11/14,309K 連想メモリ及び情報検索
G11C 11/14,309L 磁気バブル表示装置
G11C 11/14,309Z その他
G11C 11/15 ・・・多層の磁性層を用いるもの（１１／１５５が優先）
G11C 11/15,100 ・・・・磁気ランダムアクセスメモリ［ＭＲＡＭ］
G11C 11/15,110 ・・・・・メモリセル
G11C 11/15,112 ・・・・・・磁性膜
G11C 11/15,116 ・・・・・・選択素子
G11C 11/15,120 ・・・・・ワード線［書き込み線］
G11C 11/15,130 ・・・・・センス線［読み出し線］
G11C 11/15,140 ・・・・・書き込み回路・方法［駆動回路など］
G11C 11/15,150 ・・・・・読み出し回路・方法［センス回路など］
G11C 11/15,160 ・・・・・周辺回路
G11C 11/15,165 ・・・・・・入出力回路
G11C 11/15,170 ・・・・・・アドレス選択回路
G11C 11/15,180 ・・・・・・電圧供給回路
G11C 11/15,190 ・・・・・・冗長回路
G11C 11/15,195 ・・・・・試験
G11C 11/155 ・・・シリンダー状の形状を有するもの
G11C 11/155, A 製造及び素子そのもの
G11C 11/155, B 記憶装置構成法
G11C 11/155, C ロツド
G11C 11/155, D ツイスタ
G11C 11/155, E 駆動
G11C 11/155, F ビツト間相互作用
G11C 11/155, Z その他
G11C 11/16 ・・記憶作用が磁気的スピン効果に基づいている素子を用いるもの
G11C 11/18 ・ホール効果素子を用いるもの
G11C 11/19 ・共振回路における非線形誘導素子を用いるもの
G11C 11/20 ・・パラメトロンを用いるもの
G11C 11/21 ・電気的素子を用いるもの
G11C 11/22 ・・強誘電体素子を用いるもの
G11C 11/22,501 ・・・強誘電体キャパシタを用いるもの（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501A メモリセル回路（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501D 周辺回路（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501F ・ビット線関連回路（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501G ・・センスアンプ（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501H ・・参照電圧発生回路　例、ダミーセル（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501J ・・プリチャージ、ディスチャージ、イコライズ回路（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501K ・ワード線関連回路（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501L ・プレート線関連回路（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501P 誤動作対策、試験（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501Q 劣化対策　例、リラクゼーション対策（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,501Z その他（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/22,503 ・・・強誘電体ゲート絶縁膜を有するＭＯＳを用いるもの（Ｈ１３．５新設）
G11C 11/23 ・・１つの共通層上の静電記憶を用いるもの，例．フォレスターハエフ管（１１／２２が優先）
G11C 11/24 ・・キャパシタを用いるもの
G11C 11/26 ・・放電管を用いるもの
G11C 11/28 ・・・ガス入り管を用いるもの
G11C 11/30 ・・・真空管を用いるもの（１１／２３が優先）
G11C 11/34 ・・半導体装置を用いるもの
G11C 11/34, A 消費電力の低減に関するもの
G11C 11/34, H チツプからの発熱の低減に関するもの〔消費電力の低減に関するものが優先〕
G11C 11/34, J ＭＯＳ，バイポーラ共通の読出／書込に関するもの
G11C 11/34, K ２ポートメモリに関するもの
G11C 11/34, L アドレスの変化を検知して所定の動作〔例えばプリチヤージ〕を行うもの
G11C 11/34, M プリチヤージに関するもの〔アドレスの変化を検知して所定の動作を行うものが優先〕
G11C 11/34, U 高速化に関するもの
G11C 11/34, V ・セルの物理的配置に起因するアクセスタイムの遅れを改善するもの
G11C 11/34, W 初期化に関するもの〔不平衡セルを除く〕
G11C 11/34, X 公告公報における周辺回路に関するもの
G11C 11/34, Y 公告公報におけるセンス回路に関するもの
G11C 11/34, Z その他のもの
G11C 11/34,301 ・・・アドレス選択回路
G11C 11/34,301A 選択・駆動に関するもの〔デコーダを除く〕
G11C 11/34,301B ・ＭＯＳに関するもの
G11C 11/34,301C ・バイポーラに関するもの
G11C 11/34,301D ・ニブルモード，ページモード等の特殊なメモリアクセス
G11C 11/34,301E ・メモリ分割，アドレス分割に関するもの
G11C 11/34,301F ・チツプセレクト，チツプイネーブルに関するもの
G11C 11/34,301Z その他のもの
G11C 11/34,302 ・・・・アドレス・デコーダ回路
G11C 11/34,302A アドレス・デコーダ回路一般に関するもの
G11C 11/34,302B 多値アドレス・デコーダ回路に関するもの
G11C 11/34,302Z その他のもの
G11C 11/34,303 ・・・・アドレス・バツフア回路
G11C 11/34,305 ・・・ＭＯＳ周辺回路
G11C 11/34,311 ・・・・センス増幅回路
G11C 11/34,315 ・・・バイポーラ周辺回路
G11C 11/34,331 ・・・・センス増幅回路
G11C 11/34,335 ・・・電源供給回路
G11C 11/34,335A 電源供給回路一般に関するもの
G11C 11/34,335B ・バツテリバツクアツプに関するもの
G11C 11/34,335C ・基板バイアスに関するもの
G11C 11/34,335Z その他のもの
G11C 11/34,341 ・・・誤動作防止に関するもの
G11C 11/34,341A 誤動作防止一般に関するもの
G11C 11/34,341B ・温度補償に関するもの
G11C 11/34,341C ・冗長・予備に関するもの
G11C 11/34,341D ・検査・試験に関するもの
G11C 11/34,341Z その他のもの
G11C 11/34,345 ・・・回路配置等の構造
G11C 11/34,350 ・・・半導体装置内におけるキヤパシタを利用するもの
G11C 11/34,351 ・・・・メモリデバイス
G11C 11/34,352 ・・・・・メモリセル
G11C 11/34,352A 情報を不揮発化できるもの
G11C 11/34,352B ２個以上のトランジスタを含むセル
G11C 11/34,352C １個のトランジスタのみを含むセル
G11C 11/34,352D ・セルプレート電圧自体，またはセルプレート電圧の制御方式に特徴のあるもの
G11C 11/34,352E ダミーセルに特徴のあるもの，例．ダミーセルの容量部に特徴のあるもの
G11C 11/34,352F ゲインセル，すなわちセル自身がセルフリフレツシユ機能〔増幅機能〕を有し，非破壊読み出しが可能なもの
G11C 11/34,352Z その他のもの
G11C 11/34,353 ・・・・・センス回路
G11C 11/34,353A 増幅器の回路自体に特徴のあるもの
G11C 11/34,353B ・レシオレス動作をするもの
G11C 11/34,353C ・トランスフアゲートに特徴のあるもの，例．トランスフアゲートの駆動電圧，タイミング，電荷転送効果を利用するもの
G11C 11/34,353D ・メモリセルの情報をリストアするための回路，例，アクテイブリストア回路
G11C 11/34,353E 増幅器の駆動方式に特徴のあるもの
G11C 11/34,353F ピツト線のプリチヤージ方式に特徴のあるもの，例．ハーフプリチヤージ，ビツト線のイコライズ
G11C 11/34,353Z その他のもの
G11C 11/34,354 ・・・・・周辺回路
G11C 11/34,354A 入出力ゲート，バツフアおよびバス
G11C 11/34,354P ・入力バッファ
G11C 11/34,354Q ・出力バッファ
G11C 11/34,354R ・入出力バス〔ダイレクトセンス方式を含む〕
G11C 11/34,354B アドレスインバータバツフアおよびアドレスデコーダ
G11C 11/34,354C タイミングジエネレータ，遅延回路およびタイマ，例．オンチツプリフレツシユのためのタイマ
G11C 11/34,354D ワード線または列線選択ゲート駆動回路
G11C 11/34,354E ・ワード線または列線選択線クランプ回路
G11C 11/34,354F 電圧発生回路［昇圧回路を含む］
G11C 11/34,354G ・基板バイアス発生回路
G11C 11/34,354H データアンプ〔ライトアンプを含む〕
G11C 11/34,354J 競合裁定回路〔現在使用されていない，３６３Ｆへ〕
G11C 11/34,354Z その他のもの
G11C 11/34,361 ・・・・駆動方式
G11C 11/34,362 ・・・・・アクセス制御方式
G11C 11/34,362A センス方式〔データレジスタとセンスアンプとの間のデータ転送，複写などを含む〕
G11C 11/34,362B ビット線のレイアウトに関するもの、例．ビット線分割、ビット線交差
G11C 11/34,362C アクセスモードまたはアクセス方式に関するもの
G11C 11/34,362D ・ページモードに関するもの〔ＥＤＯを含む〕
G11C 11/34,362E ・ニブルモードに関するもの
G11C 11/34,362F ・スタテイツクカラムモードに関するもの
G11C 11/34,362G デュアルポートメモリに関するもの、例．ランダムアクセスポートとシリアルアクセスポートを有するもの
G11C 11/34,362H 全体が複数の部分またはブロツクに分割されたセルアレイに関するもの〔リフレツシユのためのもの，３６３Ｋ〕
G11C 11/34,362S シンクロナスメモリ
G11C 11/34,362T ・ＤＤＲ
G11C 11/34,362Z その他のもの
G11C 11/34,363 ・・・・・リフレツシユ制御方式
G11C 11/34,363A アクセスと同期のリフレツシユ制御方式〔画像用メモリのためのもの，３７１Ｈ〕
G11C 11/34,363B ・マルチＣＰＵシステムにおけるリフレツシユの同期
G11C 11/34,363C ・マイクロプロセサと同期したリフレツシユ制御方式
G11C 11/34,363D ・ＤＭＡ動作と同期したリフレツシユ制御方式
G11C 11/34,363E ・非アクセス時リフレツシユ
G11C 11/34,363F アクセスと非同期のリフレツシユ制御方式〔競合裁定回路を含む〕　例．ハザード防止技術
G11C 11/34,363G ・優先順位によつて特徴づけられるもの
G11C 11/34,363H ・アクセスまたはリフレツシユの禁止もしくは中断をするもの
G11C 11/34,363J ・リフレツシユの省略をするものまたはリフレツシユアドレスの発生に関するもの〔パーシャルリフレッシュを含む〕
G11C 11/34,363K 全体が複数のブロツクまたは部分を包含するメモリのリフレツシユ制御方式
G11C 11/34,363L リフレツシユ周期が変化するもの，例．温度によつてリフレツシユ周期が変化するもの
G11C 11/34,363M オンチツプリフレツシユ機能を有するもの〔オンチツプリフレツシユのためのタイマ，３５４Ｃ，擬似スタテイツクメモリ，３７１Ｊ〕例．オートリフレツシユ，セルフリフレツシユ
G11C 11/34,363N リフレツシユの起動またはリフレツシユタイミングの発生に関するもの
G11C 11/34,363Z その他のもの　例．リフレッシュの試験
G11C 11/34,371 ・・・・メモリシステム
G11C 11/34,371A メモリの試験に関する技術〔バーンイン，エージングを含む〕
G11C 11/34,371B メモリの監視または診断に関する技術
G11C 11/34,371C ・エラーチエツクまたはエラー訂正
G11C 11/34,371D ・冗長構成のメモリ
G11C 11/34,371E メモリの初期化，クリアアップ，イニシャライズに関する技術〔フラッシュライト，パワーオンリセットを含む〕
G11C 11/34,371F 停電またはシステムダウン対策
G11C 11/34,371G ・バツテリバツクアツプトメモリ
G11C 11/34,371H 画像用メモリ，例．ラインバツフア，フレームバツフア
G11C 11/34,371J 擬似スタテイツクメモリ，すなわち少なくともオンチツプリフレツシユ機能を備えかつ高々ひとつのチツプイネイブル信号で活性化され，アドレスおよびデータピンの配置またはビツト構成がスタテイツクメモリと互換性を有するか，もしくはアドレス遷移検出機能を有するもの
G11C 11/34,371K パツケージ，端子またはレイアウトに特徴のあるもの
G11C 11/34,371Z その他のもの［キャッシュメモリを含む］
G11C 11/34,381 ・・・・多値記憶
G11C 11/34,381A 多値記憶のセル
G11C 11/34,381B ・ＢＢＤ
G11C 11/34,381C ・ＣＣＤ
G11C 11/34,381D センス方法
G11C 11/34,381Z その他のもの
G11C 11/36 ・・・ダイオードを用いるもの，例．閾値素子として用いるもの
G11C 11/36,101 ・・・・電荷蓄積型ダイオードを用いるもの
G11C 11/38 ・・・・トンネルダイオードを用いるもの
G11C 11/40 ・・・トランジスタを用いるもの
G11C 11/40, A 初期化を目的とした不平衡セルに関するもの
G11C 11/40, B セルの片方だけからデータの読出／書込を図るもの
G11C 11/40, C 誤動作防止に関するもの
G11C 11/40, D ・α線等によるソフトエラーの防止に関するもの
G11C 11/40, Z その他のもの
G11C 11/40,101 ・・・・電荷蓄積型トランジスタを用いるもの
G11C 11/40,301 ・・・・ＭＯＳセル
G11C 11/40,305 ・・・・バイポーラセル
G11C 11/42 ・・電気一光学素子を用いるもの
G11C 11/42, A 液晶によるもの
G11C 11/42, B 強誘電体によるもの
G11C 11/42, C ＥＬ素子によるもの
G11C 11/42, D 半導体素子によるもの
G11C 11/42, Z その他
G11C 11/44 ・・超電導素子，例．クライオトロン，を用いるもの
G11C 11/44, A ジヨセフソン接合によるもの
G11C 11/44, Z その他
G11C 11/46 ・熱可塑性素子を用いるもの
G11C 11/48 ・相互または自己インダクタンスを異なる状態の間で変化させるための移動可能な結合素子，例．強磁性コア，を用いるもの
G11C 11/50 ・電気接点を作動して情報を記憶するもの（機械的な記憶装置２３／００；動作部分の単一手作動によってある選択された数の連続的な接点動作を生じるスイッチＨ０１Ｈ４１／００）
G11C 11/52 ・・電磁リレーを用いるもの
G11C 11/54 ・生物細胞，例．神経細胞（ニューロン），をシュミュレーションした素子を用いるもの
G11C 11/56 ・ステップによって表わされる３以上の安定状態を有する記憶素子，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの（この型の多安定素子を含む計数装置Ｈ０３Ｋ２５／００，２９／００）

G11C 13/00 １１／００，２３／００，または２５／００に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置
G11C 13/00, A 可逆的高低抵抗素子
G11C 13/00, Z その他
G11C 13/02 ・化学変化に基づく素子を用いるもの（電気化学的変化を利用するもの１１／００）
G11C 13/04 ・光学的素子を用いるもの
G11C 13/04, A ホトクロミツク
G11C 13/04, B 材料・組成
G11C 13/04, C ホログラム
G11C 13/04, Z その他
G11C 13/06 ・・磁気―光学素子を用いるもの（磁気―光学装置一般Ｇ０２Ｆ）
G11C 13/06, A 材料・組成
G11C 13/06, B 磁気バブル
G11C 13/06, Z その他
G11C 13/08 ・・電気―光学素子を用いるもの（電気―光学装置一般Ｇ０２Ｆ）
G11C 13/08, A 強誘電体素子
G11C 13/08, B ＥＬ素子
G11C 13/08, C 半導体素子
G11C 13/08, Z その他

G11C 15/00 １つ以上の特徴表示部分を含む情報が書き込まれ，情報の読出しはそれらの１つ以上の特徴表示部分について探索することによって行なわれるデジタル記憶装置，すなわち連想記憶または内容アドレス記憶装置（情報が特定の位置に番地付けされるもの１１／００）［２］
G11C 15/00, A 光学的素子を用いるもの
G11C 15/00, Z その他のもの（超電導素子を用いるもの等）
G11C 15/02 ・磁気的素子を用いるもの［２］
G11C 15/04 ・半導体素子を用いるもの［２］
G11C 15/04, C 高速化・高能率化
G11C 15/04, D 番地指定メモリを用いるもの
G11C 15/04, E 金物の節約
G11C 15/04, F 誤動作対策
G11C 15/04, Z その他
G11C 15/04,601 ・・セル回路
G11C 15/04,601A 揮発素子
G11C 15/04,601R 不揮発素子
G11C 15/04,601S 特殊素子
G11C 15/04,601W 比較機能に特徴のあるもの（大小比較機能、マスク機能をセル内に設けたもの）
G11C 15/04,601Z その他のもの
G11C 15/04,631 ・・周辺回路
G11C 15/04,631A 一般
G11C 15/04,631B 複数メモリの組み合わせ
G11C 15/04,631C ・ＣＡＭと一般のメモリを組み合わせたもの
G11C 15/04,631D ・ＣＡＭとＣＡＭを組み合わせたもの
G11C 15/04,631E ＣＡＭメモリアレイ内で分割管理するもの
G11C 15/04,631F 比較回路に特徴のあるもの
G11C 15/04,631G 優先回路に特徴のあるもの
G11C 15/04,631M マスク回路に特徴のあるもの
G11C 15/04,631W 連想方法自体に特徴のあるもの
G11C 15/04,631Z その他のもの
G11C 15/06 ・クライオジニック素子を用いるもの［２］

G11C 17/00 情報読出し手段のみを有する永久的記憶装置，すなわちリードオンリーメモリ；半永久的記憶装置，例．手でリプレースできる情報カード（符号化，復号化または符号変換一般Ｈ０３Ｍ）
G11C 17/00, A その他の素子
G11C 17/00, B ライター
G11C 17/00, C 選択・駆動
G11C 17/00, D 試験・チエツク
G11C 17/00, E 誤動作対策
G11C 17/00, Z その他
G11C 17/00,301 ・トランジスタを用いるもの
G11C 17/00,301A 構造・製造法
G11C 17/00,301Z その他
G11C 17/00,302 ・・バイポーラトランジスタを用いるもの
G11C 17/00,303 ・・・周辺回路
G11C 17/00,304 ・・ＦＥＴを用いるもの
G11C 17/00,304A 直列回路
G11C 17/00,304B 並列回路
G11C 17/00,304Z その他
G11C 17/00,305 ・・・三値以上の閾着を有するもの
G11C 17/00,306 ・・・周辺回路
G11C 17/00,306A 並列回路用
G11C 17/00,306B 直列回路用
G11C 17/00,306Z その他
G11C 17/00,580 ・光で書込み、読出しを行なうもの
G11C 17/00,580A 半導体
G11C 17/00,580B ＣＲＴ・粒子線
G11C 17/00,580C ホログラム
G11C 17/00,580D 光ビーム
G11C 17/00,580E フイルム
G11C 17/00,580Z その他のもの
G11C 17/00,601 ・消去可能でプログラム可能なリードオンメモリ（１４／００が優先）
G11C 17/00,601A メモリ管理
G11C 17/00,601B ・書込み（消去）回数をカウントするもの
G11C 17/00,601C ・書込み回数の均等化
G11C 17/00,601D ・タイミング制御
G11C 17/00,601E ・管理情報の記憶
G11C 17/00,601P データ保護（読出し書き換え保護）
G11C 17/00,601Q 誤動作防止
G11C 17/00,601S 光（紫外線等）による消去
G11C 17/00,601T バッファメモリを持つもの
G11C 17/00,601U 用途
G11C 17/00,601Z その他
G11C 17/00,611 ・・データプログラミング
G11C 17/00,611A 書込みベリファイを行うもの
G11C 17/00,611C 書込み前のデータと比較するもの
G11C 17/00,611D 反転書込み／代表書込みを行うもの
G11C 17/00,611E 書込み時間／書込み電圧制御
G11C 17/00,611F ディスターブ防止（非選択セルの取り扱い）
G11C 17/00,611G 特殊モードによる書込み
G11C 17/00,611Z その他
G11C 17/00,612 ・・データ消去
G11C 17/00,612A 過消去防止
G11C 17/00,612B ・消去ベリファイを行うもの（Ｃ，Ｄが優先）
G11C 17/00,612C ・消去前書込み（プリライト）を行うもの
G11C 17/00,612D ・消去後書込み（書き戻し）を行うもの
G11C 17/00,612E 消去時間／消去電圧制御
G11C 17/00,612F 消去単位（ワード、バイト、ブロック）に関するもの
G11C 17/00,612Z その他
G11C 17/00,613 ・・データ読出し（特殊モードによる読出し）
G11C 17/00,614 ・・リフレッシュ／その他の特殊動作
G11C 17/00,621 ・・しきい値が可変なトランジスタを用いるもの、例、ＦＡＭＯＳ
G11C 17/00,621A 浮遊ゲートを持つＭＯＳＦＥＴを用いるもの、その駆動に関するもの
G11C 17/00,621B ・浮遊ゲートへの電子の注入
G11C 17/00,621C ・浮遊ゲートからの電子の抽出
G11C 17/00,621Z その他の素子を用いるもの、例、ＭＮＯＳ、強誘電体をゲート絶縁膜にもつもの
G11C 17/00,622 ・・・１素子セル（メモリセルに特徴をもつもの）
G11C 17/00,622A ビット線とソース線との間に並列に接続されるもの（ＮＯＲ型）
G11C 17/00,622C ・ビット線と平行なソース線を有するもの、例、仮想接地型
G11C 17/00,622E ビット線とソース線との間に直列に接続されるもの（ＮＡＮＤ型）
G11C 17/00,622Z その他
G11C 17/00,623 ・・・多素子セル
G11C 17/00,623A １つの記憶素子と１つ以上の選択トランジスタをもつもの
G11C 17/00,623B 書込みトランジスタと保持トランジスタを持つもの
G11C 17/00,623Z その他
G11C 17/00,624 ・・・ダミーセルに関するもの
G11C 17/00,625 ・・・その他のセル／セルアレイ
G11C 17/00,631 ・・周辺回路、例、メモリへの書込み用（一般７／００）
G11C 17/00,632 ・・・電圧供給回路（ワード線、ビット線に付加されたものは、６３３、６３４へ）
G11C 17/00,632A 高電圧発生回路
G11C 17/00,632B 負電圧発生回路
G11C 17/00,632C 電圧調整回路
G11C 17/00,632D 電圧切換回路
G11C 17/00,632Z その他（基準電圧の発生、電圧制限を含む）
G11C 17/00,633 ・・・ワード線駆動回路
G11C 17/00,633A デコーダ、ワード線の選択
G11C 17/00,633B 駆動回路（ワード線への読出し電圧の供給）
G11C 17/00,633C ・ベリファイ読出し用
G11C 17/00,633D 駆動回路（ワード線への書込み電圧の供給）
G11C 17/00,633E 駆動回路（ワード線への消去電圧の供給）
G11C 17/00,633Z その他
G11C 17/00,634 ・・・ビット線回路／センス回路
G11C 17/00,634A ビット線の選択に関するもの
G11C 17/00,634B プリチャージ／ディスチャージ回路
G11C 17/00,634C センスアンプ回路
G11C 17/00,634D ・電流比較型
G11C 17/00,634E ・リファレンス電圧（電流）に関するもの、例、ダミーセル出力の制御調整
G11C 17/00,634F 書込み電圧発生回路
G11C 17/00,634G ラッチ回路
G11C 17/00,634Z その他
G11C 17/00,635 ・・・ソース線回路
G11C 17/00,636 ・・・入出力回路
G11C 17/00,636A 入力回路
G11C 17/00,636B 出力回路
G11C 17/00,636Z その他
G11C 17/00,639 ・・・冗長回路
G11C 17/00,639A 予備行（列）への置換
G11C 17/00,639B 冗長デコーダ、冗長記憶素子
G11C 17/00,639C エラー訂正コードによるもの
G11C 17/00,639Z その他
G11C 17/00,641 ・・多値記憶回路
G11C 17/02 ・磁気的もしくは誘導的素子または結合を用いるもの
G11C 17/02, A 公開以後
G11C 17/02, B コア
G11C 17/02, C 円筒状磁性素子
G11C 17/02, D ソレノイド
G11C 17/02, E 板状磁性素子
G11C 17/02, F メタルカード・エデイカード
G11C 17/02, G 変成器
G11C 17/02, Z その他
G11C 17/04 ・容量的素子または結合を用いるもの（１７／０６が優先）
G11C 17/04, A 電荷蓄積型
G11C 17/04, Z その他
G11C 17/06 ・ダイオード素子または結合を用いるもの
G11C 17/06, A 電荷蓄積型
G11C 17/06, B 溶断素子
G11C 17/06, C 抵抗・ピン
G11C 17/06, D ダイオード
G11C 17/06, Z その他
G11C 17/06,301 ・・接合破壊型

G11C 19/00 情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置，例．シフトレジスタ（計数チェーンＨ０３Ｋ２３／００）
G11C 19/00, A 非シフト型
G11C 19/00, B Ｓ／Ｐ，Ｐ／Ｓ変換
G11C 19/00, C 双方向シフト
G11C 19/00, D 可変長型
G11C 19/00, E アドレス
G11C 19/00, F バツフア
G11C 19/00, G 誤動作対策
G11C 19/00, H セツト，リセツト
G11C 19/00, J 表示
G11C 19/00, K クロツク
G11C 19/00, L 循環型
G11C 19/00, Z その他
G11C 19/02 ・磁気素子を用いるもの（１９／１４が優先）「２」
G11C 19/02, A リレー回路
G11C 19/02, Z その他
G11C 19/04 ・・１つの孔または磁気ループを有するコアを用いるもの「２」
G11C 19/06 ・・多数の孔または磁気ループを有する構造を用いるもの，例．トランスフラクサ「２」
G11C 19/08 ・・平板薄膜構造を用いるもの「２」
G11C 19/10 ・・ロッド上の薄膜を用いるもの；ツイスタによるもの「２」
G11C 19/12 ・共振回路中の非線型誘導素子を用いるもの「２」
G11C 19/14 ・能動素子，例．放電管，半導体素子，と結合した磁気素子を用いるもの「２」
G11C 19/18 ・ステージの主素子としてキャパシタを用いるもの「２」
G11C 19/20 ・放電管を用いるもの（１９／１４が優先）「２」
G11C 19/28 ・半導体素子を用いるもの（１９／１４が優先）「２」
G11C 19/28, A バイポーラＦＦ回路
G11C 19/28, B ＦＥＴＦＦ回路
G11C 19/28, C バイポーラ転送ゲート型
G11C 19/28, D ＦＥＴ転送ゲート型
G11C 19/28, E トンネルダイオード
G11C 19/28, Z その他
G11C 19/30 ・オプト―エレクトロニクス装置，すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光―電気装置を用いるもの「２」
G11C 19/32 ・超電導素子を用いるもの「２」

G11C 21/00 情報が循環する形式のデジタル記憶装置（ステップ形式のもの１９／００）
G11C 21/00, A 光伝送路
G11C 21/00, B 超音波遅延線
G11C 21/00, C 磁歪遅延線
G11C 21/00, Z その他
G11C 21/02 ・電子機械的遅延線，例．水銀タンク，を用いるもの

G11C 23/00 機械的部分の移動によって記憶を行なわせることを特徴とするデジタル記憶装置，例．ボールを用いるもの；そのための記憶素子（接点の作動によって記憶するもの１１／５０）

G11C 25/00 流体の利用を特徴とするデジタル記憶装置；そのための記憶素子

G11C 27/00 電気的アナログ記憶装置，例．瞬時値を記憶するためのもの
G11C 27/00, B ピークホールド（交流またはパルスのピーク値の測定Ｇ０１Ｒ１９／０４Ｂ）
G11C 27/00, C 符号化記憶
G11C 27/00, Z その他
G11C 27/00,101 ・半導体素子を用いるもの
G11C 27/00,101A 不揮発性記憶素子を用いるもの
G11C 27/00,101Z その他の素子を用いるもの
G11C 27/00,102 ・コンデンサを用いるもの
G11C 27/00,102A 順次走査される複数のコンデンサを用いるもの
G11C 27/00,102Z その他のもの
G11C 27/00,103 ・磁気的素子を用いるもの
G11C 27/02 ・抽出・保持装置（２７／０４が優先；電気信号の抽出一般Ｈ０３Ｋ）［２，４］
G11C 27/02,601 ・・特定のスイッチング手段、回路形式によるもの
G11C 27/02,601D ダイオードスイッチを用いるもの
G11C 27/02,601T トランジスタスイッチを用いるもの
G11C 27/02,601C ・差動トランジスタ対を用いるもの
G11C 27/02,601N 負帰還ループをもつ演算増幅器を用いるもの
G11C 27/02,601Z その他のもの
G11C 27/02,602 ・・機能により特徴付けられるもの
G11C 27/02,602A 入出力特性に関するもの
G11C 27/02,602D スイッチング雑音／オフセットの除去のためのもの
G11C 27/02,602E リーク／ドリフト対策のためのもの
G11C 27/02,602F 高速化のための変形、例．複数のサンプルホールド回路を交互に動作させるもの（６０１が優先）
G11C 27/02,602Z その他のもの
G11C 27/04 ・シフトレジスタ（電荷結合装置それ自体Ｈ０１Ｌ２９／７６）［４］
G11C 27/04,101 ・・ＣＴＤを用いるもの
G11C 27/04,101A 構造・製造法
G11C 27/04,101B 量子化
G11C 27/04,101C 誤動作対策
G11C 27/04,101D ＢＢＤ一般
G11C 27/04,101E ＣＣＤ一般
G11C 27/04,101Z その他
G11C 27/04,102 ・・・駆動に特徴があるもの
G11C 27/04,102A ＢＢＤ
G11C 27/04,102B ＣＣＤ
G11C 27/04,102Z その他
G11C 27/04,103 ・・・入力に特徴があるもの
G11C 27/04,103A ＢＢＤ
G11C 27/04,103B ＣＣＤ
G11C 27/04,103C 光入力
G11C 27/04,103Z その他
G11C 27/04,104 ・・・出力に特徴があるもの
G11C 27/04,104A ＢＢＤ
G11C 27/04,104B ＣＣＤ
G11C 27/04,104Z その他
G11C 27/04,105 ・・・メモリーの構成に特徴があるもの
G11C 27/04,105A ＳＰＳ
G11C 27/04,105Z その他

G11C 29/00 正確な動作のための記憶装置のチェック
G11C 29/00, A 電源
G11C 29/00, Z その他
G11C 29/00,601 ・ハードウエアに冗長性を持たせるもの
G11C 29/00,601B ハード冗長一般
G11C 29/00,601C 回数管理
G11C 29/00,601D 寿命管理
G11C 29/00,601Z その他のもの
G11C 29/00,603 ・・冗長メモリ
G11C 29/00,603B 冗長デコーダを有しないもの
G11C 29/00,603C ・特定のデコード出力を冗長セルに導くもの
G11C 29/00,603D ・全てのデコード出力を再配置するもの
G11C 29/00,603E データ演算により置換を行うもの
G11C 29/00,603F カラム切替により置換を行うもの
G11C 29/00,603G 時間差対策手段
G11C 29/00,603H 冗長デコーダ
G11C 29/00,603J ・冗長記憶素子
G11C 29/00,603K ・冗長記憶素子から情報を読み出す回路
G11C 29/00,603L ・冗長記憶素子に情報を書き込む回路
G11C 29/00,603M 切り離し回路
G11C 29/00,603N ・電源の切り離し
G11C 29/00,603P 試験診断
G11C 29/00,603Q ・冗長検出
G11C 29/00,603R ・・メモリセルを介した冗長検出
G11C 29/00,603X 特殊なメモリの冗長
G11C 29/00,603Y ・シリアルアクセスメモリの冗長
G11C 29/00,603Z その他のもの
G11C 29/00,605 ・・障害領域の非選択
G11C 29/00,605B 部分良品の組み合わせ
G11C 29/00,605C アドレス変換
G11C 29/00,605D アドレス固定
G11C 29/00,605X 特殊なメモリ
G11C 29/00,605Y ・バブルメモリ
G11C 29/00,605Z その他のもの
G11C 29/00,607 ・・ＲＯＭパッチ
G11C 29/00,631 ・データの表現形態に冗長性をもたせるもの
G11C 29/00,631B 試験診断
G11C 29/00,631C ＥＤＣバイパス
G11C 29/00,631D エラー検出一般
G11C 29/00,631P パトロール
G11C 29/00,631Q ・読み書き再生
G11C 29/00,631Z その他のもの
G11C 29/00,651 ・メモリの試験
G11C 29/00,651E α線によるソフトエラーの耐性試験
G11C 29/00,651P 並列試験
G11C 29/00,651S 高速化
G11C 29/00,651T 時間マージン
G11C 29/00,651V 電圧マージン
G11C 29/00,651Z その他のもの
G11C 29/00,652 ・・ＲＯＭの試験（Ｈ１１　新設）
G11C 29/00,653 ・・特殊なメモリの試験
G11C 29/00,655 ・・試験結果の処理
G11C 29/00,655C データ圧縮
G11C 29/00,655D 試験結果の表示
G11C 29/00,655M 素子内記憶
G11C 29/00,655S 冗長戦略
G11C 29/00,655Z その他のもの
G11C 29/00,657 ・・試験パターン
G11C 29/00,657B パターン生成に特徴のあるもの
G11C 29/00,657C ・チェッカーボードパターン
G11C 29/00,657D ・ランダムパターン
G11C 29/00,657E ・アドレスからの生成
G11C 29/00,657H アドレスハミング距離
G11C 29/00,657T アドレス変換
G11C 29/00,657Z その他のもの
G11C 29/00,659 ・・アクセスタイム，サイクルタイムの測定
G11C 29/00,671 ・試験機能を有するメモリ
G11C 29/00,671B 自己試験
G11C 29/00,671F 加速試験
G11C 29/00,671K 漏れ電流測定
G11C 29/00,671M マージン試験
G11C 29/00,671P 並列試験
G11C 29/00,671Q ・並列読み出し
G11C 29/00,671R ・・ブロック間比較
G11C 29/00,671S リフレッシュに関する試験
G11C 29/00,671T テストモード
G11C 29/00,671Z その他のもの
G11C 29/00,673 ・・試験機能を有するＲＯＭ
G11C 29/00,673B 自己試験
G11C 29/00,673F 加速試験
G11C 29/00,673K 漏れ電流測定
G11C 29/00,673M マージン試験
G11C 29/00,673P 並列試験
G11C 29/00,673Q ・並列読み出し
G11C 29/00,673R ・・ブロック間比較
G11C 29/00,673T テストモード
G11C 29/00,673V しきい値測定
G11C 29/00,673W ダミーセル
G11C 29/00,673Z その他のもの
G11C 29/00,675 ・・試験機能を有する特殊メモリ
G11C 29/00,675B 磁性静的記憶
G11C 29/00,675C ＩＣカード・メモリカード
G11C 29/00,675D マルチポートメモリ
G11C 29/00,675L 集積回路内蔵メモリ
G11C 29/00,675M ・マイコン搭載メモリ
G11C 29/00,675S シリアルアクセスメモリ
G11C 29/00,675Z その他のもの

G11C 99/00 このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［８］
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