WebCPC CPC COOPERATIVE PATENT CLASSIFICATION
H05H プラズマ・テクニック(核融合炉G21B；イオンビーム管H01J 27/00；磁気流体力学生成プログラムH02K 44/08；プラズマ生成を含んでいるＸ線を生じることH05G 2/00)；加速された帯電する分子のまたは中性子の製造(放射性線源から中性子を得ることG21、例えば G21B, G21C, G21G)；製造または中立不偏の分子であるか原子光線の加速(原子時計G04F 5/14；誘導放出を使用している装置H01S；分子のエネルギー準位で測定される参照頻度と比較すると頻度調節、原子、または原子を構成する分子H03L 7/26)
H05H 1/00 プラズマを生成すること；プラズマを扱うこと
H05H 1/0006 ・{プラズマを調査すること、例えばイオン化の程度(電子温度)}
H05H 1/0012 ・・{放射線を用いて}
H05H 1/0018 ・・・{詳細}
H05H 1/0025 ・・・{光電手段を用いて(H05H 1/0031 to H05H 1/0043 優位をとる)}
H05H 1/0031 ・・・{interferrometryによって}
H05H 1/0037 ・・・{分光分析によって(見るG01N 3/00)}
H05H 1/0043 ・・・{赤外線または紫外放射を用いて}
H05H 1/005 ・・・{Ｘ線またはα線を用いて(見るG01N 23/00)}
H05H 1/0056 ・・・{中性子を用いて(見るG01N 23/00)}
H05H 1/0062 ・・・{マイクロ波を用いて(見るG01N 23/34)}
H05H 1/0068 ・・{熱手段によって(見るG01N 25/00)}
H05H 1/0075 ・・・{ラングミュア探針}
H05H 1/0081 ・・{電気手段によって(見るG01N 27/00, G01R)}
H05H 1/0087 ・・{磁気手段によって(見るG01N 27/00, G01R)}
H05H 1/0093 ・・{音響によって、例えば超音波手段(見るG01N 29/02)}
H05H 1/02 ・電気的であるか磁気分野によって、プラズマを限るための準備；加熱プラズマのための準備({G21B 1/00 優位をとる；}電子光学H01J)
H05H 1/03 ・・静電界を使用すること
H05H 1/04 ・・プラズマの放出によって、かなり発生する磁場を使用すること
H05H 1/06 ・・・縦のピンチ装置
H05H 1/08 ・・・シータ・ピンチ装置{例えばスキュラ}
H05H 1/10 ・・外部的に印加磁場だけを使用すること{例えばQ-機械、陰陽、野球}
H05H 1/105 ・・・{磁気ポンピングを使用すること}
H05H 1/11 ・・・尖端構成を使用すること(H05H 1/14 優位をとる)
H05H 1/12 ・・・そこにおいて、封じ込め容器は、閉であるかほとんど閉ループを形成する{(G21B 1/05 優位をとる)}
H05H 1/14 ・・・そこにおいて、封じ込め容器は、まっすぐで、磁気鏡を備えている{電子反射鏡G21K 1/08B}
H05H 1/16 ・・外部的に印加起電物体および磁場を使用すること
H05H 1/18 ・・・そこにおいて、フィールドものは、超短波で振動する、例えばマイクロ波範囲の{例えばサイクロトロン反響を使用すること}
H05H 1/20 ・・オームの加熱
H05H 1/22 ・・注射加熱のための{(G21B 1/15 優位をとる)}
H05H 1/24 ・プラズマを生成すること{(ガス入りの放出原子炉H01J 37/32；核核融合炉G21B 1/00；オームの加熱H05H 1/20；注射加熱H05H 1/22)}
H05H 1/2406 ・・{誘電バリア放出}
H05H 1/2475 ・・{音響圧力放出}
H05H 1/26 ・・プラズマトーチ{(締めつけられたアークを有する金属加工B23K 10/00, H05H 10/02；金属溶射B05B 7/18, B05B 7/20)}
H05H 1/28 ・・・冷却配置
H05H 1/30 ・・・印加電磁界を使用すること、例えば高周波またはマイクロ波エネルギ(H05H 1/28 優位をとる)
H05H 1/32 ・・・アークを使用すること(H05H 1/28 優位をとる)
H05H 1/34 ・・・・詳細、例えば電極、ノズル{参照 B23K 9/24}
H05H 1/3405 ・・・・・{配置を安定させているかまたは締めつけているアーク、例えば更なるガス流れによって(外部的に印加磁場によってH05H 1/40；粉または液体を用いてH05H 1/42；同軸の保護流体を使用することH05H 1/341)}
H05H 1/341 ・・・・・{同軸の保護流体を使用すること(配置を安定させているかまたは締めつけているアークH05H 1/3405；材料をプラズマにもたらすことH05H 1/42)}
H05H 1/36 ・・・・・回路配置(H05H 1/38 ,H05H 1/40 優位をとる)
H05H 1/38 ・・・・・電極の案内することまたはセンタリング
H05H 1/40 ・・・・・印加磁場を使用すること、例えばfucusingするかまたはアークを回転させるための{参照 B23K 9/08, B23K 9/06C5}
H05H 1/42 ・・・・材料をプラズマにもたらすことに対する配置を有する、例えば粉、液体(静電吹付け塗り、電気的にスプレーを満たすための手段を有する吹付け塗り装置B05B 5/00){参照 B23K 9/324, B05B 7/22；配置を安定させているかまたは締めつけているアークH05H 1/3405；同軸の保護流体H05H 1/341}
H05H 1/44 ・・・・複数のトーチを使用すること
H05H 1/46 ・・印加電磁界を使用すること、例えば高周波またはマイクロ波エネルギ(H05H 1/26 優位をとる)
H05H 1/48 ・・アークを使用すること(H05H 1/26 優位をとる)
H05H 1/50 ・・・そして、印加磁場を使用すること、例えば焦点に集まるかまたはアークを回転させるための
H05H 1/52 ・・導線またはスパークギャップを爆発させることを使用すること(H05H 1/26 優位をとる；スパークギャップ一般にH01T)
H05H 1/54 ・プラズマ・アクセラレータ
H05H 3/00 製造または中性の粒子線の加速、例えば分子であるか原子光線
H05H 3/02 ・分子または原子線生成{(充電交換装置G21K 1/14；装置に極性を与えることG21K 1/16；材料を分析するかまたは調査するための反響または分子線を使用することG01N 24/002；原子時計G04F 5/14；光線メーザーH01S 1/06)}
H05H 3/04 ・電磁波圧による加速
H05H 3/06 ・生成中性子ビーム(生成核反応の目標H05H 6/00；中性子源G21G 4/02)
H05H 5/00 直接的な電圧アクセラレータ；単一パルスを使用しているアクセラレータ(H05H 3/06 優位をとる)
H05H 5/02 ・詳細(生成核反応の目標H05H 6/00)
H05H 5/03 ・・管を加速すること(容器または容器の表層の上の改良された潜在的配布を有する電気放電管のコンテナH01J 5/06；容器または容器と関連するＸ線管のシールドH01J 35/16)
H05H 5/04 ・{静電形高電圧発生装置によって、エネルギーを与えられる}
H05H 5/042 ・・{バン・デ・グラーフ・タイプの}
H05H 5/045 ・・{高圧カスケード、例えばGreinacherカスケード}
H05H 5/047 ・・{鼓動された生成プログラム}
H05H 5/06 ・{多段アクセラレータ}
H05H 5/063 ・・{タンデム機械}
H05H 5/066 ・・{タマネギみたいな構造}
H05H 5/08 ・昇圧変圧器を使用している粒子加速器、例えば反響変成器
H05H 6/00 生成核反応の目標(目標のための支持体または照射を受ける目的G21K 5/08){トリチウムの準備C01B 4/00}; {目標、例えばレーザーまたは荷電粒子による核融合反応のためのペレットは、注射を放射するH05H 1/22}
H05H 6/005 ・{極性を与えられた目標(装置に極性を与えること、例えば極性を与えられたイオンビームを得るためのG21K 1/16)}
H05H 7/00 グループにより適用されられるタイプの装置の詳細H05H 9/00, H05H 11/00, H05H 13/00
H05H 7/001 ・{光線照射または照射のための準備(照射システムそれ自体G21K 5/00)}
H05H 7/02 ・回路またはＲｆエネルギーを供給するかまたは供給するシステム(Ｒｆ発生器H03B)
H05H 7/04 ・磁石システム{例えばundulators、ボウフラ(自由電子レーザーH01S 3/0903)}；それの活発化
H05H 7/06 ・2-ビーム配置；マルチ光線準備{貯蔵リング}；電子リング
H05H 7/08 ・軌道に分子を注入するための準備
H05H 7/10 ・分子を軌道から放出するための準備
H05H 7/12 ・光線の最終的なエネルギーを変化させるための準備
H05H 7/14 ・真空槽(H05H 5/03 優位をとる)
H05H 7/16 ・・導波管タイプの
H05H 7/18 ・・空腔；共振器{(進行波管H01J 23/18；hyperfrequency空腔一般にH01P 7/04, H01P 7/06)}
H05H 7/20 ・・・超電導な壁を有する
H05H 7/22 ・線形加速装置の詳細、例えばドリフト管(H05H 7/02 to H05H 7/20 優位をとる)
H05H 9/00 線形加速装置
H05H 9/005 ・{誘電壁促進剤}
H05H 9/02 ・進行波形直線加速装置{進行波管H01J 25/34}
H05H 9/04 ・定在波形直線加速装置
H05H 9/041 ・・{ハドロン線形加速器}
H05H 9/042 ・・・{ドリフト管線形加速器}
H05H 9/044 ・・・{結合空腔線形加速器、例えば連結される側}
H05H 9/045 ・・・{Ｒｆ四重極}
H05H 9/047 ・・・{ハイブリッド・システム}
H05H 9/048 ・・{レプトン線形加速器}
H05H 11/00 磁気誘導アクセラレータ、例えばベータトロン
H05H 11/02 ・空心ベータトロン
H05H 11/04 ・付勢ベータトロン
H05H 13/00 MRアクセラレータ；サイクロトロン{(ストロフォトロン、タービン管H01J 25/62)}
H05H 13/005 ・{サイクロトロン}
H05H 13/02 ・シンクロサイクロトロン、すなわち頻度は、サイクロトロンを調整した
H05H 13/04 ・シンクロトロン
H05H 13/06 ・空心MRアクセラレータ
H05H 13/08 ・交流勾配MRアクセラレータ
H05H 13/085 ・・{勾配アクセラレータを交替させている固定されたフィールド[FFAG}]
H05H 13/10 ・一つ以上の線形加速度的な断面から成っていて、第1の加速度的な断面との軌道類似の荷電粒子を返すために磁石または同類を曲げているアクセラレータ、例えばマイクロトロン
H05H 15/00 方法または他に分類されない荷電粒子の加速の装置
H05H 2001/00 プラズマを生成すること；プラズマを扱うこと
H05H 2001/24 ・プラズマを生成すること{(ガス入りの放出原子炉H01J 37/32；核核融合炉G21B 1/00；オームの加熱H05H 1/20；注射加熱H05H 1/22)}
H05H 2001/2406 ・・{誘電バリア放出}
H05H 2001/2412 ・・・電極の間に配置されている誘電体
H05H 2001/2418 ・・・誘電体に埋められている電極
H05H 2001/2425 ・・・誘電体と同一平面上の電極
H05H 2001/2431 ・・・円筒状電極
H05H 2001/2437 ・・・多層システム
H05H 2001/2443 ・・・流れる、すなわち誘電管のプラズマ流体自噴
H05H 2001/245 ・・・・内部電極
H05H 2001/2456 ・・・・外部電極
H05H 2001/2462 ・・・・環状電極
H05H 2001/2468 ・・・・螺旋電極
H05H 2001/2475 ・・{音響圧力放出}
H05H 2001/2481 ・・・圧電性アクチュエータ
H05H 2001/2487 ・・・機械アクチュエータ
H05H 2001/2493 ・・・ホーン
H05H 2001/26 ・・プラズマトーチ{(締めつけられたアークを有する金属加工B23K 10/00, H05H 10/02；金属溶射B05B 7/18, B05B 7/20)}
H05H 2001/32 ・・・アークを使用すること(H05H 1/28 優位をとる)
H05H 2001/34 ・・・・詳細、例えば電極、ノズル{参照 B23K 9/24}
H05H 2001/3415 ・・・・・1と関連する索引作業計画/34
H05H 2001/3421 ・・・・・・転送されたアーク・モード
H05H 2001/3426 ・・・・・・パイロット・アーク
H05H 2001/3431 ・・・・・・同軸円筒状電極
H05H 2001/3436 ・・・・・・内部冷却液流を有するくぼんだカソード
H05H 2001/3442 ・・・・・・挿入された先端を有するカソード
H05H 2001/3447 ・・・・・・ロッドのようなカソード
H05H 2001/3452 ・・・・・・カソードおよび陽極間の補助電極、例えばカスケード
H05H 2001/3457 ・・・・・・ノズル保護装置
H05H 2001/3463 ・・・・・・傾斜したノズル
H05H 2001/3468 ・・・・・・渦発生器
H05H 2001/3473 ・・・・・・安全手段
H05H 2001/3478 ・・・・・・幾何学的な詳細
H05H 2001/3484 ・・・・・・収束である/互いに異なるノズル
H05H 2001/3489 ・・・・・・始まっている接触
H05H 2001/3494 ・・・・・・放出パラメータ制御
H05H 2001/46 ・・印加電磁界を使用すること、例えば高周波またはマイクロ波エネルギ(H05H 1/26 優位をとる)
H05H 2001/4607 ・・・マイクロ波放出
H05H 2001/4615 ・・・・表面波
H05H 2001/4622 ・・・・導波管
H05H 2001/463 ・・・・アンテナまたはアプリケータ
H05H 2001/4637 ・・・・ケーブル
H05H 2001/4645 ・・・高周波放出
H05H 2001/4652 ・・・・誘導的に、連結される
H05H 2001/466 ・・・・・電極
H05H 2001/4667 ・・・・・丸くなられたアンテナ
H05H 2001/4675 ・・・・容量結合される
H05H 2001/4682 ・・・・付随する電力発生器、e. G.回路、整合ネットワーク
H05H 2001/469 ・・・流れる、すなわちプラズマ変わりやすい非誘電容器の自噴
H05H 2001/4692 ・・・・誘電バリア放出(H05H 1/2406 優位をとる)
H05H 2001/4695 ・・・・アーク放電
H05H 2001/4697 ・・・・グロー放電
H05H 2001/48 ・・アークを使用すること(H05H 1/26 優位をとる)
H05H 2001/481 ・・・コロナ放電
H05H 2001/483 ・・・・とがった電極
H05H 2001/485 ・・・・円筒状電極、例えば回転ドラム電極
H05H 2001/486 ・・・・繊維状の電極
H05H 2001/488 ・・・・分割された電極
H05H 2006/00 生成核反応の目標(目標のための支持体または照射を受ける目的G21K 5/08){トリチウムの準備C01B 4/00}; {目標、例えばレーザーまたは荷電粒子による核融合反応のためのペレットは、注射を放射するH05H 1/22}
H05H 2006/007 ・放射線防護配置、例えばスクリーン
H05H 2007/00 グループにより適用されられるタイプの装置の詳細H05H 9/00, H05H 11/00, H05H 13/00
H05H 2007/001 ・{光線照射または照射のための準備(照射システムそれ自体G21K 5/00)}
H05H 2007/002 ・・光線軌道を修正するための、例えば構台
H05H 2007/004 ・・光線エネルギーを修正するための、例えばブラッグ・ピーク装置を広げる
H05H 2007/005 ・・光線放射率を修正するための、例えば確率論的な冷却装置、ストリッパ箔
H05H 2007/007 ・・照射目標に光線を集中させるための
H05H 2007/008 ・・光線パラメータを測定するための
H05H 2007/02 ・回路またはＲｆエネルギーを供給するかまたは供給するシステム(Ｒｆ発生器H03B)
H05H 2007/022 ・・鼓動されたシステム
H05H 2007/025 ・・高周波システム
H05H 2007/027 ・・マイクロ波システム
H05H 2007/04 ・磁石システム{例えばundulators、ボウフラ(自由電子レーザーH01S 3/0903)}；それの活発化
H05H 2007/041 ・・束になっている光線のための、例えばundulators
H05H 2007/043 ・・光線集束のための
H05H 2007/045 ・・光線曲げのための
H05H 2007/046 ・・光線屈折のための
H05H 2007/048 ・・光線軌道を修正するための、例えば構台システム
H05H 2007/06 ・2-ビーム配置；マルチ光線準備{貯蔵リング}；電子リング
H05H 2007/065 ・・マルチ光線差込み、例えば漏斗を通ること
H05H 2007/08 ・軌道に分子を注入するための準備
H05H 2007/081 ・・ソース
H05H 2007/082 ・・・イオン源、例えばECR、デュオプラズマトロン、 PIG、レーザ源
H05H 2007/084 ・・・電子ソース
H05H 2007/085 ・・静電手段によって
H05H 2007/087 ・・磁気手段によって
H05H 2007/088 ・・機械的手段によって、例えばはく土箔
H05H 2007/12 ・光線の最終的なエネルギーを変化させるための準備
H05H 2007/122 ・・電磁手段によって、例えばＲｆ空腔
H05H 2007/125 ・・機械的手段によって、例えばはく土箔
H05H 2007/127 ・・放射率変化によって、例えば確率論的な冷却
H05H 2007/22 ・線形加速装置の詳細、例えばドリフト管(H05H 7/02 to H05H 7/20 優位をとる)
H05H 2007/222 ・・ドリフト管
H05H 2007/225 ・・被結合空腔配置
H05H 2007/227 ・・電動継手、例えば結合ループ
H05H 2240/00 試験
H05H 2240/10 ・気圧で
H05H 2240/20 ・非熱的なプラズマ
H05H 2242/00 補助システム
H05H 2242/10 ・冷却配置
H05H 2242/1005 ・・プラズマトーチのための別の電源装置
H05H 2245/00 試験
H05H 2245/104 ・螺旋電極
H05H 2245/12 ・アプリケーション
H05H 2245/121 ・・排気ガスの処理、例えば周囲空気、オゾン発生器
H05H 2245/1215 ・・・排気ガス
H05H 2245/122 ・・医療アプリケーション{例えばプラズマ外科用メス、刃、bistouri}
H05H 2245/1225 ・・・目的の殺菌
H05H 2245/123 ・・表面処理
H05H 2245/1235 ・・・大きなボリューム部材のコーティング
H05H 2245/124 ・・ナノ構造体の生産
H05H 2245/125 ・・携帯機器
H05H 2277/00 アプリケーション
H05H 2277/10 ・医療機器
H05H 2277/11 ・・放射線療法
H05H 2277/113 ・・・診断システム
H05H 2277/116 ・・・同位元素生産
H05H 2277/12 ・イオン打込み
H05H 2277/13 ・高エネルギー・アプリケーション、例えば融合
H05H 2277/14 ・携帯機器
H05H 2277/1405 ・・検出システム
--- Edited by Muguruma Professional Engineer Office(C), 2013 ---