C30 結晶成長（晶析による分離一般Ｂ０１Ｄ９／００）［３］ WebFI FI記号=2010年8月版
C30B 単結晶成長（超高圧を用いるもの，例．ダイヤモンド生成用Ｂ０１Ｊ３／０６）；共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出；物質のゾーンメルティングによる精製（金属または合金のゾーン精製Ｃ２２Ｂ）；特定構造を有する均質多結晶物質の製造（金属の鋳造，同じ方法と装置による他の物質の鋳造Ｂ２２Ｄ；プラスチックの加工Ｂ２９；金属または合金の物理的構造の改良Ｃ２１Ｄ，Ｃ２２Ｆ）；単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質；単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理（半導体装置またはその部品を製造するためのものＨ０１Ｌ）；そのための装置［３］
＜注＞（１）このサブクラスにおいては，下記の表現は以下に示す意味で用いる：
―“単結晶”は双晶およびほぼ単結晶状の生成物も含む；［３］
―“均質多結晶物質”はそのすべてが同じ化学組成を有する結晶粒子をもつ物質を意味する；［５］
―“特定構造”は選択方向に配向された結晶粒または通常得られるものよりも大きい結晶粒からなる物質の構造を意味する。［５］
（２）このサブクラスにおいては：
―特殊な材料または形状の単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の製造は，グループ２９／００だけでなくプロセスに関するグループにも分類する；［３］
―特定のプロセスに特に適合した装置はそのプロセスに関する適当なグループに分類する。２種以上のプロセスに用いられる装置はグループ３５／００に分類する。［３］
＜索引＞単結晶成長
固体またはゲルからの １／００，３／００，５／００
液体からの ７／００〜２１／００，２７／００
蒸気からの ２３／００，２５／００
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の製造 ２８／００，３０／００
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質 ２９／００
後処理 ３１／００，３３／００
装置 ３５／００
固体またはゲルからの単結晶成長［３］
C30B 1/00 固相からの直接単結晶成長（共析晶物質の一方向析出３／００；保護流体下で行うもの２７／００）［３］
C30B 1/02 ・熱処理によるもの，例．歪焼鈍（１／１２が優先）［３］
C30B 1/04 ・・等温再結晶化［３］
C30B 1/06 ・・温度勾配下での再結晶化［３］
C30B 1/08 ・・・ゾーン再結晶化［３］
C30B 1/10 ・固相反応または多相拡散によるもの［３］
C30B 1/12 ・成長中の圧力処理によるもの［３］
C30B 3/00 共析晶物質の一方向析出［３］
C30B 5/00 ゲルからの単結晶成長（保護流体下で行うもの２７／００）［３］
C30B 5/02 ・ドープ物質を加えるもの［３］
液体からの単結晶成長；共晶物質の一方向固化［３］
C30B 7/00 常温で液体の溶媒を用いる溶液からの単結晶成長，例．水溶液（溶融溶媒からのもの９／００；ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるもの１１／００；保護流体下で行うもの２７／００）［３］
C30B 7/02 ・溶媒の蒸発によるもの［３］
C30B 7/04 ・・水性溶媒を用いるもの［３］
C30B 7/06 ・・非水性溶媒を用いるもの［３］
C30B 7/08 ・溶液の冷却によるもの［３］
C30B 7/10 ・圧力を加えるもの，例．水熱法［３］
C30B 7/12 ・電解によるもの［３］
C30B 7/14 ・結晶化物質が溶液中の化学反応により形成されるもの［３］
C30B 9/00 溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長（ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるものは１１／００；ゾーンメルティングによるもの１３／００；結晶引出しによるもの１５／００；浸漬された種結晶上に成長するもの１７／００；液相エピタキシャル成長によるもの１９／００；保護流体下で行うもの２７／００）［３］
C30B 9/02 ・溶融溶媒の蒸発によるもの［３］
C30B 9/04 ・溶液の冷却によるもの［３］
C30B 9/06 ・・溶媒として結晶組成の一成分を用いるもの［３］
C30B 9/08 ・・他の溶媒を用いるもの［３］
C30B 9/10 ・・・金属溶媒［３］
C30B 9/12 ・・・塩溶媒，例．フラックス成長［３］
C30B 9/14 ・電解によるもの［３］
C30B 11/00 ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長，例．ブリッジマン―ストックバーガー法（１３／００，１５／００，１７／００，１９／００が優先；保護流体下で行うもの２７／００）［３］
C30B 11/00, C るつぼ又は容器
C30B 11/00, Z その他
C30B 11/02 ・溶媒を使用しないもの（１１／０６が優先）［３］
C30B 11/04 ・融液中に結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの［３］
C30B 11/06 ・・結晶組成の全成分ではなく少なくとも１つの成分を加えるもの［３］
C30B 11/08 ・・結晶化中に結晶組成の全ての成分を加えるもの［３］
C30B 11/10 ・・・固体または液体成分，例．ベルヌーイ法［３］
C30B 11/12 ・・・蒸気成分，例．気相―液相―固相成長（ＶＬＳ）［３］
C30B 11/14 ・種結晶によって特徴づけられたもの，例．その結晶方位［３］
C30B 13/00 ゾーンメルティングによる単結晶成長；ゾーンメルティングによる精製（１７／００が優先；処理された固体の断面積を変化させるもの１５／００；保護流体下で行なうもの２７／００；特定構造を有する均質多結晶物質の成長のためのもの２８／００；特定物質のゾーン精製は，その物質に関連したサブクラス参照）［３，５］
C30B 13/02 ・溶媒を用いるゾーンメルティング，例．移動溶媒法［３］
C30B 13/04 ・ゾーンレベリングによる均質化［３］
C30B 13/06 ・溶融ゾーンが全断面にわたって広がらないもの［３］
C30B 13/08 ・溶融ゾーンに結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの［３］
C30B 13/10 ・・ドープ物質を加えるもの［３］
C30B 13/12 ・・・ガスまたは蒸気状態で［３］
C30B 13/14 ・るつぼまたは容器［３］
C30B 13/16 ・溶融ゾーンの加熱［３］
C30B 13/18 ・・加熱素子が溶融ゾーンに接触または浸漬されるもの［３］
C30B 13/20 ・・誘導によるもの，例．ホットワイヤ技術（１３／１８が優先）［３］
C30B 13/22 ・・照射または電気放電によるもの［３］
C30B 13/24 ・・・電磁波を用いるもの［３］
C30B 13/26 ・溶融ゾーンの攪拌［３］
C30B 13/28 ・制御または調整［３］
C30B 13/30 ・・溶融ゾーンの安定化または形状の制御，例．コンセントレイターによるもの，電磁界によるもの；結晶断面の制御［３］
C30B 13/32 ・材料またはヒーターの移動機構［３］
C30B 13/34 ・種結晶によって特徴づけられたもの，例．その結晶方位［３］
C30B 15/00 融液からの引出しによる単結晶成長，例．チョクラルスキー法（保護流体下で行うもの２７／００）［３］
C30B 15/00, P ペデスタル引上げ法（ペデスタル引上げ法とは固体状の原料の一部を加熱によつて融液化し，その部分に種結晶を浸して，単結晶の引上げを行う単結晶の育成方法である．）
C30B 15/00, Z その他
C30B 15/02 ・融液に結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの［３］
C30B 15/04 ・・ドープ物質を加えるもの，例．ＰＮ接合用［３］
C30B 15/06 ・非垂直引出し［３］
C30B 15/08 ・下方引出し［３］
C30B 15/10 ・融液を支持するためのるつぼまたは容器［３］
C30B 15/12 ・・二重るつぼ法［３］
C30B 15/14 ・融液または結晶化した物質の加熱［３］
C30B 15/16 ・・照射または電気放電によるもの［３］
C30B 15/18 ・・直接抵抗加熱に加えて他の加熱方法を用いるもの，例．ペルチェ加熱を用いるもの［３］
C30B 15/20 ・制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［３］
C30B 15/22 ・・引出された結晶近傍の溶融ゾーンの安定化または形状の制御；結晶断面の制御［３］
C30B 15/24 ・・・機械的手段を用いるもの，例．成形ガイド（縁部限定薄膜供給結晶成長（ＥＦＧ）用の成形型１５／３４）［３］
C30B 15/26 ・・・テレビジョン検出器を用いるもの；光またはＸ線検出器を用いるもの［３］
C30B 15/28 ・・・結晶または融液の重量変化を用いるもの，例．フローテーション法［３］
C30B 15/30 ・融液または結晶を回転または移動させるための機構（フローテーション法１５／２８）［３］
C30B 15/32 ・種結晶保持器，例．チャック［３］
C30B 15/34 ・型またはスリットを用いる縁部限定薄膜供給結晶成長（ＥＦＧ）［３］
C30B 15/36 ・種結晶により特徴づけられたもの，例．その結晶方位［３］
C30B 17/00 成長中融液に浸した種結晶上への単結晶成長，例．ナッケン―キロポロス法（１５／００が優先）［３］
C30B 19/00 液相エピタキシャル成長［３］
C30B 19/00, S スライド法（スライド法とはスライダーとボートとを相対的に滑動させながら，スライダーに載せられた基板とボードに収容された単結晶原料融液とを接触させることによつて，基板表面に単結晶の層を成長させる単結晶の育成方法である．）
C30B 19/00, Z その他
C30B 19/02 ・溶融溶媒を用いるもの，例．フラックス［３］
C30B 19/04 ・・溶媒が結晶組成の一成分であるもの［３］
C30B 19/06 ・反応室；融液支持用ボート；基板保持体［３］
C30B 19/06, S スライド法
C30B 19/06, Z その他
C30B 19/08 ・反応室または基板の加熱［３］
C30B 19/10 ・制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［３］
C30B 19/12 ・基板によって特徴づけられたもの［３］
C30B 21/00 共晶物質の一方向固化［３］
C30B 21/02 ・通常の鋳造または温度勾配凝固によるもの［３］
C30B 21/04 ・ゾーンメルティングによるもの［３］
C30B 21/06 ・融液からの引出しによるもの［３］
蒸気からの単結晶成長［３］
C30B 23/00 蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長［３］
C30B 23/02 ・エピタキシャル層成長［３］
C30B 23/04 ・・パターン成膜，例．マスクを用いるもの［３］
C30B 23/06 ・・成膜室，基板または被蒸発物質の加熱［３］
C30B 23/08 ・・イオン化蒸気の凝縮によるもの（反応スパッタリングによるもの２５／０６）［３］
C30B 23/08, M 分子線によるもの
C30B 23/08, P プラズマを利用するもの
C30B 23/08, Z その他
C30B 25/00 反応ガスの化学反応による単結晶成長，例．化学蒸着（ＣＶＤ）による成長［３］
C30B 25/02 ・エピタキシャル層成長［３］
C30B 25/02, P プラズマを利用するもの
C30B 25/02, Z その他
C30B 25/04 ・・パターン成膜，例．マスクを用いるもの［３］
C30B 25/06 ・・反応スパッタリングによるもの［３］
C30B 25/08 ・・反応室；そのための材料の選択［３］
C30B 25/10 ・・反応室または基板の加熱［３］
C30B 25/12 ・・基板保持体またはサセプタ［３］
C30B 25/14 ・・ガスの供給および排出手段；反応ガス流の調節［３］
C30B 25/16 ・・制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［３］
C30B 25/18 ・・基板によって特徴づけられたもの［３］
C30B 25/20 ・・・基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの［３］
C30B 25/22 ・・サンドイッチプロセス［３］
＜見出し終了＞
C30B 27/00 保護流体下における単結晶成長［３］
C30B 27/02 ・融液からの引出しによるもの［３］
C30B 28/00 特定構造を有する均質多結晶物質の製造［５］
C30B 28/02 ・固相から直接に［５］
C30B 28/04 ・液体から［５］
C30B 28/06 ・・ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるもの［５］
C30B 28/08 ・・ゾーンメルティングによるもの［５］
C30B 28/10 ・・融液からの引出しによるもの［５］
C30B 28/12 ・気相から直接に［５］
C30B 28/14 ・・反応ガスの化学反応によるもの［５］
C30B 29/00 材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質［３，５］
＜注＞１．グループ２９／０２から２９／５４においては，相反する指示がない限り，物質は最後の適切な箇所に分類する。［３］
２．ＩＰＣがどの版の化学元素周期表を参照しているかを示すセクションＣのタイトルに続く注（３）に注意すること。［２０１０．０１］
C30B 29/02 ・元素［３］
C30B 29/04 ・・ダイヤモンド［３］
C30B 29/04, A 気相法によるダイヤモンド薄膜の製造〔粒子の被覆→Ｔ〕
C30B 29/04, B ・プラズマを生成させるもの〔Ｃ〜Ｆ以外のもの又はプラズま生成手段を特定していないもの〕
C30B 29/04, C ・・直流放電プラズマによるもの
C30B 29/04, D ・・高周波プラズマによるもの
C30B 29/04, E ・・マイクロ波プラズマによるもの（Ｈ１３．５新設）
C30B 29/04, F ・・サイクロトロン共鳴プラズマによるもの
C30B 29/04, G ・加熱体〔例．熱フイラメント，加熱基板〕により原料ガスを活性化するもの〔雰囲気加熱を含む〕
C30B 29/04, H ・燃焼炎により原料ガスを活性化するもの
C30B 29/04, J ・熱電子照射により原料ガスを活性化するもの
C30B 29/04, K ・光照射により原料ガスを活性化するもの
C30B 29/04, L ・イオンビーム照射により原料ガスを活性化するもの
C30B 29/04, M ・真空蒸着，スパツタリングによるもの
C30B 29/04, N ・Ｂ〜Ｍのような成膜手段を特定していないもの
C30B 29/04, P ・・基板材料に特徴あるもの
C30B 29/04, Q ・・基板の処理に特徴あるもの〔例．表面処理，中間層の形成〕
C30B 29/04, R ・・原料ガスの組成に特徴あるもの
C30B 29/04, S 気相法による薄膜以外の形状〔例．粒状〕のダイヤモンドの製造
C30B 29/04, T 気相法によるダイヤモンドで他の材料の粒子を被覆するもの
C30B 29/04, U 気相法によらないダイヤモンドの製造
C30B 29/04, V ダイヤモンド結晶の処理
C30B 29/04, W ダイヤモンドからなる又はダイヤモンドを含む物品
C30B 29/04, X ・基材表面に気相法ダイアモンド被覆を施した物品
C30B 29/04, Z その他
C30B 29/06 ・・シリコン［３］
C30B 29/06, A 結晶自体に特徴あるもの〔例．不純物濃度，物性，結晶方位の特定〕
C30B 29/06, B 結晶の後処理
C30B 29/06, C Ｓｉの結晶を使用した物品
C30B 29/06, D 結晶成長用のＳｉ材料の製造〔例．高純度多結晶シリコン棒の製造〕
C30B 29/06, Z その他
C30B 29/06,501 ・・・液相からの成長
C30B 29/06,501A ゾーンメルテイングによる成長
C30B 29/06,501B 液相エピタキシヤル成長
C30B 29/06,501Z その他
C30B 29/06,502 ・・・・引上げ法によるもの
C30B 29/06,502A 原料粉末の供給，融液の形成
C30B 29/06,502B るつぼ〔るつぼに一体化又は密着して使用される治具を含む〕
C30B 29/06,502C 引上げ炉内で使用される治具〔例，熱遮蔽板，保温筒等〕に特徴あるもの〔Ｅが優先〕
C30B 29/06,502D ・融液内に配置されるもの〔Ｅが優先〕
C30B 29/06,502E 加熱，冷却手段に特徴あるもの
C30B 29/06,502F 種結晶及び種結晶の保持，引上げ装置に特徴あるもの
C30B 29/06,502G 磁場を使用するもの
C30B 29/06,502H 不純物，不可避不純物量の制御
C30B 29/06,502J 引上げ速度，回転数の制御〔Ｈが優先〕
C30B 29/06,502K 引上炉内の雰囲気の調整〔雰囲気ガスの供給，排出，圧力調整〕
C30B 29/06,502Z その他
C30B 29/06,503 ・・・融液からの板状，帯状シリコンの引き出し
C30B 29/06,504 ・・・気相からの成長
C30B 29/06,504A 基材上への薄膜の成長
C30B 29/06,504B ・原料ガスの選択，組成に特徴あるもの
C30B 29/06,504C ・原料ガスの供給・排出，流れの制御に特徴あるもの
C30B 29/06,504D ・基板の加熱，冷却の手段，方法に特徴あるもの
C30B 29/06,504E ・基板材料の選択に特徴あるもの〔Ｆが優先〕
C30B 29/06,504F ・基板の処理〔Ｊが優先〕；基板上にＳｉ以上の膜を形成させてのちＳｉ膜を成長させるもの〔例．バツフアー膜の形成〕
C30B 29/06,504G ・Ｓｉ膜を二工程以上に分けて成長させるもの
C30B 29/06,504H ・Ｓｉ膜を基板上の時定領域に成長させるもの〔Ｊが優先〕
C30B 29/06,504J ・基板上の種子結晶上に成長させるもの
C30B 29/06,504K ・基板上に形成したＳｉ膜に処理を施すもの〔例．非結晶質Ｓｉ膜の単結晶化，ドーピング〕
C30B 29/06,504L ・気相成長用の装置，治具類に特徴あるもの〔例．基板支持台，ベルジヤー，Ｃ〜Ｋが優先〕
C30B 29/06,504Z その他
C30B 29/08 ・・ゲルマニウム［３］
C30B 29/10 ・無機化合物または組成物［３］
C30B 29/12 ・・ハロゲン化物［３］
C30B 29/14 ・・りん酸塩［３］
C30B 29/16 ・・酸化物［３］
C30B 29/18 ・・・石英［３］
C30B 29/20 ・・・酸化アルミニウム［３］
C30B 29/22 ・・・複合酸化物［３］
C30B 29/22, A Ａｌを含有するもの〔Ａ〜Ｆはラストプレースルールを適用〕
C30B 29/22, B ・ＢｅＡｌ↓２Ｏ↓４〔クリソベリル，アレキサンドライト〕
C30B 29/22, C Ｂを含有するもの
C30B 29/22, D Ｂｉを含有するもの
C30B 29/22, F フエライト
C30B 29/22, G ・ＭｎとＺｎとを含むもの
C30B 29/22, Z その他
C30B 29/22,501 ・・・・超電導材料
C30B 29/22,501A 固相からの成長
C30B 29/22,501B 液相からの成長
C30B 29/22,501C ・基板上に超電導層を形成したもの
C30B 29/22,501D 気相法による成長
C30B 29/22,501E ・基板上に超電導層を形成したもの
C30B 29/22,501H ・・スパツタリングによるもの〔Ｊ〜Ｎが優先〕
C30B 29/22,501J ・・基板の選択に特徴あるもの
C30B 29/22,501K ・・基板の処理，基板と超電導層との間に中間層を形成したもの
C30B 29/22,501L ・・製膜後に超電導層に処理を施すもの〔例．熱処理，イオン注入処理等〕
C30B 29/22,501M ・・超電導層を複層に形成するもの又は超電導層の表面に更に他の材料の層を形成するもの
C30B 29/22,501N 超電導材料を利用した物品の用途に特徴のあるもの〔例．半導体装置，半導体基板，線材〕
C30B 29/22,501P 超電導結晶の後処理に特徴あるもの〔Ｌが優先〕
C30B 29/22,501Z その他
C30B 29/24 ・・・・式ＡＭｅＯ↓３を有するもの，ここでＡは希土類金属またはＭｅはＦｅ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｃｒ，ＣｏまたはＡｌ，例．オルソフェライト［３］
C30B 29/26 ・・・・式ＢＭｅ↓２Ｏ↓４を有するもの，ここでＢはＭｇ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ａｌ，ＺｎまたはＣｄまたＭｅはＦｅ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｃｒ，ＣｏまたはＡｌ［３］
C30B 29/28 ・・・・式Ａ↓３Ｍｅ↓５Ｏ↓１↓２を有するもの，ここでＡは希土類金属またＭｅはＦｅ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｃｒ，ＣｏまたはＡｌ，例．ガーネット［３］
C30B 29/30 ・・・・ニオブ酸塩；バナジン酸塩；タンタル酸塩［３］
C30B 29/30, A ニオブ酸塩〔Ｃが優先〕
C30B 29/30, B タンタル酸塩〔Ｃが優先〕
C30B 29/30, C ニオブとタンタルとを含むもの
C30B 29/30, D バナジン酸塩
C30B 29/30, Z その他
C30B 29/32 ・・・・チタン酸塩；ゲルマニウム酸塩；モリブデン酸塩；タングステン酸塩［３］
C30B 29/32, A チタン酸塩
C30B 29/32, B ・アルカリ金属のチタン酸塩
C30B 29/32, C ・アルカリ土類金属のチタン酸塩
C30B 29/32, D ・チタン酸鉛
C30B 29/32, G ゲルマニウム酸塩
C30B 29/32, M モリブデン酸塩
C30B 29/32, W タングステン酸塩
C30B 29/32, Z その他
C30B 29/34 ・・けい酸塩［３］
C30B 29/34, A ベリル〔ＢｅＯ−Ａｌ↓２Ｏ↓３−ＳｉＯ↓２〕
C30B 29/34, Z その他
C30B 29/36 ・・炭化物［３］
C30B 29/36, A 炭化けい素
C30B 29/36, Z その他
C30B 29/38 ・・窒化物［３］
C30B 29/38, A Ｂを含むもの〔例．ＢＮ，ＢＣＮ〕
C30B 29/38, B Ｓｉを含むもの〔例．Ｓｉ↓３Ｎ↓４〕
C30B 29/38, C Ａｌを含むもの〔例．ＡｌＮ〕
C30B 29/38, D Ｇａを含むもの〔例．ＧａＮ〕
C30B 29/38, Z その他
C30B 29/40 ・・ＡＩＩＩＢＶ化合物［３］
C30B 29/40, A 結晶自体に特徴あるもの〔例；結晶の物性，不純物濃度の特定〕
C30B 29/40, B 結晶成長用の原料の合成，精製
C30B 29/40, C 結晶の処理
C30B 29/40, D Ａ３ＢＶ化合物結晶を用いた物品の用途
C30B 29/40, Z その他
C30B 29/40,501 ・・・液相からの成長
C30B 29/40,501A 引き上げ法によるもの
C30B 29/40,501B 液相から基板上に薄膜を成長させるもの
C30B 29/40,501C ノーマルフリージング又は温度勾配凝固によるもの
C30B 29/40,501D 帯域溶融法によるもの
C30B 29/40,501E 溶質合成拡散法によるもの
C30B 29/40,501Z その他
C30B 29/40,502 ・・・気相からの成長
C30B 29/40,502A 基板上への薄膜の成長〔分子線によるものは，Ｋへ〕
C30B 29/40,502B ・原料ガスの選択に特徴あるもの
C30B 29/40,502C ・・３，Ｖ族源以外の成分ガス〔例．不純物ガス，キヤリアーガス〕の選択に特徴あるもの
C30B 29/40,502D ・原料ガスの生成，供給，排出に特徴あるもの
C30B 29/40,502E ・・原料ガスの供給量，成分比を成長中に変化させるもの〔例；成分を交互に供給するもの，特定成分の供給量を変えるもの〕
C30B 29/40,502F ・基板材料に特徴のあるもの
C30B 29/40,502G ・基板の処理〔基板上に他の被膜をコーテイングしてのち成長させるものは，Ｈへ〕
C30B 29/40,502H ・基板と成長層との間に他の層〔例．バツフア層〕を形成するもの又は基板上に複数の成長層を形成するもの
C30B 29/40,502J ・基板上の特定領域に成長させるもの
C30B 29/40,502K ・分子線により成長させるもの
C30B 29/40,502L 薄膜以外の形状の結晶を気相法で得るもの
C30B 29/40,502Z その他
C30B 29/42 ・・・ひ化ガリウム［３］
C30B 29/44 ・・・りん化ガリウム［３］
C30B 29/46 ・・硫黄，セレンまたはテルルを含む化合物［３］
C30B 29/48 ・・・ＡＩＩＢＶＩ化合物［３］
C30B 29/50 ・・・・硫化カドミウム［３］
C30B 29/52 ・・合金［３］
C30B 29/54 ・有機化合物［３］
C30B 29/56 ・・酒石酸塩［３］
C30B 29/58 ・・高分子化合物［３］
C30B 29/60 ・形状により特徴づけられたもの［３］
C30B 29/62 ・・ひげ結晶または針状結晶［３］
C30B 29/62, A 酸化物〔複合酸化物は，Ｅへ〕
C30B 29/62, B ・アルミナ
C30B 29/62, C ・酸化チタン
C30B 29/62, D ・酸化亜鉛
C30B 29/62, E 複合酸化物；酸素酸塩
C30B 29/62, F ・チタン酸塩
C30B 29/62, G ・硫酸塩〔例．硫酸カルシウム〕
C30B 29/62, H ・ホウ酸塩
C30B 29/62, J 炭化物
C30B 29/62, K ・炭化けい素
C30B 29/62, L ・・二酸化けい素を原料とするもの
C30B 29/62, M ・・Ｓｉ，Ｓｉ合金を原料とするもの
C30B 29/62, N ・・分解性けい素化合物〔例；有機けい素化合物〕又は気体状けい素化合物を原料とするもの
C30B 29/62, P ・・炭化けい素ウイスカーの精製又は処理
C30B 29/62, Q 窒化物
C30B 29/62, R ・窒化けい素
C30B 29/62, S 炭素
C30B 29/62, U 金属，合金
C30B 29/62, V 製造法一般〔製造されるウイスカーが特定されていないもの〕
C30B 29/62, W ウイスカーの処理〔ウイスカーが特定されていないもの〕
C30B 29/62, Z その他
C30B 29/64 ・・平型結晶，例．板，帯状体，円板［５］
C30B 29/66 ・・複雑な幾何学的形状の結晶，例．管，円筒［５］
C30B 29/68 ・・層構造からなる結晶，例．“超格子”［５］
C30B 30/00 電場，磁場，波動エネルギーまたはその他の特殊な物理的条件の作用により特徴づけられる単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の製造［５］
＜注＞このグループに分類する場合，結晶成長の工程に従い，グループ１／００〜２８／００にも分類する。［５］
C30B 30/02 ・電場を用いるもの，例．電気分解［５］
C30B 30/04 ・磁場を用いるもの［５］
C30B 30/06 ・機械的振動を用いるもの［５］
C30B 30/08 ・無重力または低重力の条件下のもの［５］
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理［３，５］
C30B 31/00 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質への拡散またはドーブ工程；そのための装置［３，５］
C30B 31/02 ・固相状態の拡散物質と接触させるもの［３］
C30B 31/04 ・液相状態の拡散物質と接触させるもの［３］
C30B 31/06 ・ガス状態の拡散物質と接触させるもの（３１／１８が優先）［３］
C30B 31/08 ・・拡散物質が被拡散元素の化合物であるもの［３］
C30B 31/10 ・・反応室；そのための材料の選択［３］
C30B 31/12 ・・反応室の加熱［３］
C30B 31/14 ・・基板保持体またはサセプタ［３］
C30B 31/16 ・・ガスの供給および排出手段；ガス流の調節［３］
C30B 31/18 ・・制御または調整［３］
C30B 31/20 ・電磁波照射または粒子線放射によるドービング［３］
C30B 31/22 ・・イオン注入によるもの［３］
C30B 33/00 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理（３１／００が優先）［３，５］
C30B 33/02 ・熱処理（３３／０４，３３／０６が優先）［５］
C30B 33/04 ・電場，磁場または粒子線放射を用いるもの［５］
C30B 33/06 ・結晶の結合［５］
C30B 33/08 ・エッチング［５］
C30B 33/10 ・・溶液または融液中で［５］
C30B 33/12 ・・気体雰囲気またはプラズマ下で［５］
＜見出し終了＞
C30B 35/00 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の成長，製造または後処理のために特に適合した装置一般［３，５］
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