09/074029 19980506 (Abandoned)
6/7 [Back] [Next] [Full/Text] [Full/Image] US6232002 B1二分子層反射防止コーティングおよび腐食硬いマスクBilayer anti-reflective coating and etch hard mask Advanced Micro Devices, Inc. Inventor(s):Early, Kathleen R. ;Pangrle, Suzette K. ;Chan, Maria C. ;Shen, Lewis Application No. 09/186920, Filed 19981106, Issued 20010515 Granted 20010515 US.Class: 428698 428450 428331 430005 Int'l Class: B32B01800;
【分野】通常、発明が反射防止コーティングおよび腐食硬いマスクと関係づける現在、より詳しくは、発明が同じものを使用している半導体製造工程と関係づける現在。
【抄録】深い深紫外リソグラフィを使用している下位の0.35のミクロン半導体の製造において、シリコンoxynitrideの上に二酸化けい素の二分子層が、写真平板レジストのための最下段反射防止コーティングおよび腐食硬いマスクとして使われる。二酸化けい素が、使用されている(248ナノメートル)深い紫外線波長で、光学上トランスペアレントである予め選択された反射するシリコンoxynitride厚さと結合してその厚さは、ゼロの反射率目標を満たす、そして、同時に、自動一直線に並べられた腐食のための硬いマスクおよびself-一直線に並べられたソースがエッチングするので、適切に体積型はサーブすることである。
【請求の範囲】1.二分子層反射防止コーティングおよび硬い腐食は、マスクする反射する以下を含んでいるレイヤー:
前記反射するレイヤーに取り除かれる反反射材料、そして、前記反反射材料に取り除かれる腐食耐性材料、前記大幅にトランスペアレントな抵抗する材料をエッチングする光化学作用である波長、そして、anti-reflectiveなものより厚くそれによって、材料光化学作用波長の前記反射するレイヤーからの反射率が、ある前記反射するレイヤーからの反射率の上の減少した前記反反射材料だけ。
Field: The present invention relates generally to an anti-reflective coating and
an etch hard mask and more particularly to a semiconductor manufacturing
process using the same.
Abstract: In the manufacture of sub 0.35 micron semiconductors using deep ultraviolet lithography, a bilayer of silicon dioxide on top of silicon oxynitride is used as bottom anti-reflective coating and an etch hard mask for photolithographic resist. Since the silicon dioxide is optically transparent at the deep ultraviolet wavelengths being used (248 nm), its thickness in combination with a preselected reflective silicon oxynitride thickness satisfies the zero reflectivity goal and, at the same time, is adequately thick to serve as a hard mask for self-aligned etch and self- aligned-source etch.
Claim:
1. A bilayer anti-reflective coating and etch hard mask for a reflective
layer comprising:
an anti-reflective material disposed on said reflective layer; and
an etch-resistant material disposed on said anti-reflective material, said
etch resistant material being substantially transparent at an actinic
wavelength and thicker than the anti-reflective material whereby the
reflectivity from said reflective layer at the actinic wavelength is
reduced over the reflectivity from said reflective layer having said
anti-reflective material alone.
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[no drawing available]
US6232001 B1特定のvinysilane複合、同じものを含んでいる有機発光素子、そして、 vinysilane複合を生じる方法Specific vinysilane compound, organic luminous element containing the same, and method for producing vinysilane compound Fuji Photo Film Co., Ltd. Inventor(s):Igarashi, Tatsuya Application No. 09/299657, Filed 19990427, Issued 20010515 Granted 20010515 US.Class: 428690 428212 428917 556431 556432 313504 313506 Int'l Class: H05B03300; H05B03312 H05B03314
【分野】発明がvinylsilane複合と関係づける現在および同じものを含んでいる有機発光素子、そして、 vinylsilane複合を生じる方法。
【抄録】高輝度および高色純度を伴う青色発光が可能になる高効率有機発光素子、それは、全体的な式(A)により表示される少なくとも一つの複合から成る:
そこにおいて、R、R b、R cおよびR dは、各々水素アトムまたは置換基グループを表示する、置換分として働く少なくとも1がRの中で寄せ集める条件を有する、R b、R cおよびR dは、全体的な式(B)により表示されるグループである:
R eおよびR fは、各々水素アトムまたは置換基グループを表示する、そして、 Ar表示するアリール基、heteroarylグループまたはalkenylグループ、そして、Rのいつの少なくとも2置換基グループ、R b、R cおよびR dが、全体的な式(B)により表示されるグループである全体的な式(B)により表示されるグループは、同じものでもよいか異なってもよい。
【請求の範囲】1.複合から成る発生的な発光素子材料全体的な式(1)により表示される部分的な構成:
##STR30##。そこにおいて、R.sup.1、R.sup.2およびR.sup.3は、各々水素アトムを表示する、または、置換基グループ、R.sup.1、R.sup.2およびR.sup.3は、あるalkenylグループでない、R.sup.4およびR.sup.5は、各々水素アトムを表示する、または、置換基グループ、そして、Ar.sup.1はアリール基を表示する、heteroarylグループまたはalkenylグループ。
Field: The present invention relates to a vinylsilane compound and an organic
luminous element containing the same, and a method for producing a
vinylsilane compound.
Abstract: A high-efficiency organic luminous element by which blue luminescence with high luminance and high color purity becomes possible, which comprises at least one compound represented by general formula (A): wherein R a , R b , R c and R d each represents a hydrogen atom or a substituent group, with the proviso that at least one substituent group of R a , R b , R c and R d is a group represented by general formula (B):
wherein R e and R f each represents a hydrogen atom or a substituent group, and Ar a represents an aryl group, a heteroaryl group or an alkenyl group; and when at least two substituent groups of R a , R b , R c and R d are groups represented by general formula (B), the groups represented by general formula (B) may be the same or different.
Claim:
1. An organic luminous element material comprising a compound having a
partial structure represented by general formula (1):
##STR30##
wherein R.sup.1, R.sup.2 and R.sup.3 each represents a hydrogen atom or a
substituent group, with the proviso that R.sup.1, R.sup.2 and R.sup.3 are
not alkenyl groups; R.sup.4 and R.sup.5 each represents a hydrogen atom or
a substituent group; and Ar.sup.1 represents an aryl group, a heteroaryl
group or an alkenyl group.
Priority: JP 10-120843 19980430 JP 11-074160 19990318
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