引用特許分析（FCAマップ）　 　(2006-03-09) PatentWeb + SGshot V11.23
対象特許；US5433169 Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer / Cited Patent US3617371　 US3701682　 US3922475　 US4473938　 US4489041　 US4518455　 US4748135　 US4812231　 US4907534　 EP767703　 EP254651　 EP254654　 EP328417　 EP343355　
　
1997年
1998年
1999年
2000年
2001年
2002年
2003年
2004年
2005年
2006年
Technolo. and Devices Internat. US6472300 US6476420 US6555452 US6559038 US6559467 US6599133 US6849862 US6890809
8
Kopin Corp. US6734091 US6847052 US6881983 US6911079 US6955985 US7002180
6
Cree, Inc. US6459100 US6610551 US6765240 US6958093 US6972051
5
NEC Corp. US5902393 US6284042
2
Primaxx, Inc. US6231933 US6261373
2
Nichia Corp. US6711191 US6835956
2
Mitsubishi Denki K.K. US5714006
1
Northwes. University US5834331
1
Sumitomo Electric Industri. Ltd. US5843590
1
SDL, Inc. US5888886
1
Bandwidth Semicond. LLC US6066204
1
Max-Plan. zur Forderung der US6254675
1
Corning Applied Technolo. Corp. US6284395
1
General Electric Co. US6398867
1
Technolo. & US6479839
1
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. US6667185
1
ASTRALUX, Inc. WO9711494
1
合計 1 3 2 1 5 5 6 4 8 1
36

　※この表は，対象特許を審査で引用している特許を，発行年・権利者ごとに整理したものです。番号をクリックすると明細書などを見られます。

　　　注．権利者名の異表記は，分析途中に指示があれば同一になっています。
　　　注．権利者名は一部を省略してあります。
　　　注．共同権利者の場合は，先頭の権利者になっています。